丝印：VB2355
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- RDS(ON)：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：±20V
- 门源阈值电压：-1V
- 封装类型：SOT23
应用简介：
NTR4171PT1G（丝印：VB2355）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：
详细参数说明：
NTR4171PT1G是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-5.6A，RDS(ON)为47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为-1V，封装类型为SOT23。
应用领域：
NTR4171PT1G适用于多种领域和应用场景，特别是需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：
1. 电源管理模块：NTR4171PT1G可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，使系统具有低功耗和高效能。
2. 电动工具和家用电器：它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。
3. 汽车电子系统：NTR4171PT1G可用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高压和高功率的需求。
4. LED照明：在LED照明系统中，NTR4171PT1G可用作驱动电路的开关元件，实现高效的电能转换和对LED灯的精确控制。
5. 工控系统和通信设备：NTR4171PT1G适用于工控系统和通信设备中的开关电路，以实现高效的电源管理和电流控制。
综上所述，NTR4171PT1G（VB2355）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、汽车电子系统、LED照明以及工控系统和通信设备等领域模块。它具有低电导压降和高电流承载能力，适用于需要高效能和可靠性的电路。
