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基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计
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时间:2019-06-08
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资料介绍
针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题,本文采用GaAs HBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究,采用有源负载代替传统的电阻负载,提高了分频器工作的频率。同时对动态分频器进行电路设计,并对其进行仿真,得出其分频范围为9~15 GHz,具有良好的输入灵活度,功耗仅为130.26mW,满足设计要求。
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