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RF功放设计
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类别: 消费电子
时间:2020-01-14
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资料介绍
RF功放设计RF Power Amplifier Design Markus Mayer & Holger Arthaber Department of Electrical Measurements and Circuit Design Vienna University of Technology June 11, 2001 Contents ¤ Basic Amplifier Concepts l Class A, B, C, F, hHCA l Linearity Aspects l Amplifier Example ¤ Enhanced Amplifier Concepts l Feedback, Feedforward, ... l Predistortion l LINC, Doherty, EER, ... 2 Efficiency Definitions POUT PDC ¤ Drain Efficiency: ηD = 1 ¤ Power Added Efficiency: η PA = POUT PIN = η D 1 PDC G 3 Ideal FET Input and Output Characteristics IDS Im VGS=0 gm VGS VGS=VP VK VDD Saturation VDS 2VP VP 0 0 VDSmax Ohmic Breakdown κ= VDD V K VDD 4 Maximum Output Power Match I DS Im VGS=0 gm VGS VGS=VP VK VDD Saturation VDS 2VP VP 0 0 VDSmax Ohmic Breakdown ROPT = VDS max VK Im 5 Cl……
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