3G时代的存储器众生相 3G时代的存储器众生相 3G带来的人们对移动多媒体功能的需求，让半导体存储器市场获得了持续的活力，在 市场头绪没有理清之前，所有的参与者似乎都有机会。 　　2005年，中国3G网络将商用，这无疑给全球手机制造商提供了一个新的机会，3G手 机等新兴应用更是为存储器厂商留下了巨大的想象空间。伴随着手机从2G演变到3G，其 对存储器的需求也在不断提升中，存储器子系统在整个手机系统中变得越来越重要，其 成本已逐渐超过基带处理器的成本，而存储容量依然在继续攀升中，如图1所示。 [pic] 图1，在2G、2.5G、2.75G到3G手机的不断发展过程中，手机存储器的容量和出货量都在 不断攀升。（资料来源：Micron Market Research） 　　与存储容量的攀升相适应，手机存储器的架构也发生了巨大的变化。在中低端手机 中，多数采用NOR闪存和SRAM分离器件的架构，在此种存储子系统中，NOR闪存主要用来 存储代码，SRAM用作数据缓存。对于3G手机，由于3G网络带宽的增加，使手机整合了更 多的功能，如MP3、拍照、图像传输与处理等，3G手机对存储器子系统有了更高的要求， 如高密度、低成本、小体积等，NAND、PSRAM（伪静态RAM）、LP- SDRAM（低功耗SDRAM）等新型存储器越来越多地被应用于手机中。同时，为了追求低成 本、低功耗和小体积，集成了多种不同类型存储器的多芯片封装（MCP：Multi-chip Packaging）器件也将逐渐流行。手机存储器类型见图2。 [pic] 图2，为了满足3G手机存储子系统大容量、低功耗、小体积等要求，各种新型存储器被越 来越多地用于手机中。 　　闪存：半导体市场的新宠 　　消费电子市场的火爆使闪存取代了DRAM，成为半导体产业的新宠，3G手机等新兴应 用更是闪存市场快速发展的助推剂。在NOR和NAND两种闪存技术……