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W-无线传播特性测试-20050316-B-2.1
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
目录1概述...............................................................................................
W-(高培)切换算法分析及参数设置指导书-20050316-A-1.0
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
切换包括更软切换、软切换、同频硬切换、异频硬切换、异系统硬切换。切换典型过程为:测量控制—>测量报告->切换判决—>切换执行->新的测量控制。切换算法根据切换判决所需要的测量值、切换控制方法、切换类型
【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:AO4611丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A/-5A-RDS(ON):28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4
AO4611VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
W-无线话音质量测试方法指导书-20041101-A-1.0
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
常用的MOS分评价方法:1.1主观MOS分评价主观测试方法一般采用ITU-TP.800和P.830建议书中的方法。由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比,并得出MOS分,
64-qfp-1420b.pdf
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
电子产品日新月异,硬件电子工程师少不了画PCB,设计需考虑电子元器件封装,收集了诸多常用封装,有兴趣了解的网友,下载参考参考吧。
64qfp1420bpdf
W-电磁干扰测试指导书-20060330-A-3.0
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
关键词:WCDMA电磁干扰频谱仪摘要:本文介绍了在建设WCDMA网络前,为了保证使用的频段各项电磁指标达到网络运行的条件,使用专门仪器对覆盖区域进行电磁背景干扰测试,获得的数据将作为网络开通前的参考。
[ZLG]AMKS16Z-Core产品用户手册
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时间:2019.06.17
上传者:royalark_912907664
[ZLG]AMKS16Z-Core产品用户手册
zlg
AMKS16Z
用户手册
智能变电站技术标准化
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数字化变电站两大应用电子式互感器IEC61850数字化变电站存在的问题缺乏相关的建设标准、规范过程层/间隔层设备与一次设备接口不规范没有解决IEC61850/61970的问题主要局限在自动化系统本身,
电梯无线传输监控方案
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一:现场基本情况及要求现在有一栋楼24层的家属公寓,为保证居民出入安全和财产安全在出入口大厅内外分别安装一部摄像机,现有两部电梯,每台电梯是独立的电梯井,要对电梯进行24小时实时监控。采用传统安装方法
电力行业-欧迈特V1-青岛高科
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工业级设计低功耗的工业级芯片双电源冗余设计继电器输出告警IP30~IP67防护等级结构紧凑,便于安装生产、采购严格执行iso9001
直放站应用中的其他问题.
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直放站运行管理中心(OMC)的网络管理监控系统具有智能化管理功能和远程监控功能,而且还具有即时、安全、通用、直观等特点,操作维护非常方便,其网络管理结构如图3-1所示。下面介绍该系统的特点和基本功能。
电力配网简介
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智能酒店智能客控系统技术方案
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目录一、系统概述4二、系统应用特点52.1综合节能效益明显52.2提高管理水平、延长设备使用寿命52.3为宾客提供安全、健康和人性化的环境和服务62.4为酒店评定星级加分62.5紧密关联其它系统,降低
电动智能小车设计资料.
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80C51单片机是一款八位单片机,他的易用性和多功能性受到了广大使用者的好评。这里介绍的是如何用80C51单片机来实现长春工业大学的毕业设计,该设计是结合科研项目而确定的设计类课题。本系统以设计题目的
SDVR软件远程设置操作步骤
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请按如下步骤进行设置:1、服务端在其他功能->用户管理->远程:添加一个“网络用户认证的用户”:设置用户名和密码为1,级别为1级。确认后,把1方框中内打上勾。2、客户端进入分控设置,添加一个组,右边填
RG008604 CDMA 1X负荷控制ISSUE2.0
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
Cdma系统是一个自干扰系统,前反向存在容量的上限,同时容量和服务质量之间有一个权衡的关系,为保证系统的稳定运行,必须进行负荷控制负载控制算法的目的:最大程度保证系统的稳定运行;最大程度利用系统的前向
AO3400 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号AO3400,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON
ao3400
VBsemi
mosfet
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