制造与封装-消耗E币(4-6)资料下载

【教材】实用电子元器件的选用与检测问答

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第1章电阻器第2章电位器…………………………………38第3章电容器……………………………59第4章电感器……………………………97第5章变压器……………………………114第6章电声器件……………………

元器件选用检测问答
俄罗斯方块

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俄罗斯方块源码……

stc51 应用技术
书上永远看不到的接插件知识

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书上永远看不到的接插件知识,原文来自电子发烧友论坛书上永远看不到的接插件知识工程师画PCB的时候，难免会遇到一些连接器件，在中国，很多时候，这些连接器件都是山寨厂家做的，因此很难像国外那样，能向厂家索

接插件知识冷知识
电磁兼容讲义

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电磁骚扰耦合机理骚扰源与受害者公共阻抗耦合导电连接磁场感应电场感应负载电阻的影响空间间隔11.11.1.11.1.1.11.1.1.21.1.1.31.1.1.41.1.1.511.1()1.1.11

电磁兼容耦合机理
MT-101：去耦技术

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如果电源引脚上存在纹波和/或噪声，大多数IC都会有某种类型的性能下降。数字IC的噪声裕量会降低，时钟抖动则可能增加。对于高性能数字IC，例如微处理器和FPGA，电源额定容差(例如±5%)包含直流误差、

去耦噪声
高速和RF设计考虑——实现更高信号处理性能的高级技术

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在非常高的频率下，每条走线、每个引脚都是RF发射极和接收器。若非精心设计布局，干扰信号极易掩盖那些设计人员想要处理的信号。设计选择先从架构大局考虑，逐步细化至亚毫米量级的走线。有一些经过实际尝试和验证

rf 信号处理 adi
vSphere+5.0存储设计与实现4

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本书共计分为4个pdf文档。本书是VMwarevSphere虚拟化存储领域最为详尽和权威的一部作品，它由全球资深虚拟化技术专家、VMware高级主管工程师撰写。书中不仅深入探讨了存储技术的原理和VMw

vsphere+5.0 存储虚拟处理机
vSphere+5.0存储设计与实现3

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本书共计分为4个pdf文档。本书是VMwarevSphere虚拟化存储领域最为详尽和权威的一部作品，它由全球资深虚拟化技术专家、VMware高级主管工程师撰写。书中不仅深入探讨了存储技术的原理和VMw

vsphere+5.0 存储虚拟处理机
vSphere+5.0存储设计与实现2

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vsphere+5.0 存储虚拟处理机
vSphere+5.0存储设计与实现 1

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本书共计分为4个pdf文档。本书是VMwarevSphere虚拟化存储领域最为详尽和权威的一部作品，它由全球资深虚拟化技术专家、VMware高级主管工程师撰写。书中不仅深入探讨了存储技术的原理和VMw

vsphere+5.0 存储虚拟处理机
MT-071：模拟隔离放大器

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在许多应用中，传感器与接收数据的系统之间最好不要有直接的(“电流”)电气连接，这点有时甚至非常重要。这样可能是为了防止系统一半产生的危险电压或电流给另一半造成损坏的可能，或者是为了断开难以处理的接地环

隔离放大器
高压大电流光控固体电子放电开关设计

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介绍了光控晶闸管放电开关的结构和工作原理，分析了电子开关的设计要求，采用RbCb阻容吸收电路来吸收瞬态过电压，且给每只串联的器件并联一只均压电阻，稳态均压效果较好。理论分析和实测结果验证了该方案的有效

高压开关设计大电流
最深入最经典的电容剖析

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最深入最经典的电容剖析第1页:前言关于电容我们不是在忽悠你知道显卡为什么会花屏吗?没错,你肯定听说过...……

最深入经典电容
Nokia5110液晶屏

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看了你就知道综合电路数据表PCD854448×84点矩阵LCD控制/驱动产品说明书19994月12日综合电路在文档内，IC17Philips半导体产品说明书48x84点矩阵LCD控制/驱动PCD854

液晶显示
MT-012：ADC需要考虑的交调失真因素

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交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积。虽然射频

ADC 交调失真
MT-011：找出那些难以琢磨、稍纵即逝的ADC代码和亚稳状态

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数字通信系统设计关注的一个主要问题是误码率(BER)。ADC噪声对系统BER的影响可以分析得出，但前提是该噪声须为高斯噪声。遗憾的是，ADC可能存在非高斯误码，简单分析根本无法预测其对BER的贡献。在

ADC 亚稳态代码
MT-008：将振荡器相位噪声转换为时间抖动

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为实现高信噪比(SNR)，ADC的孔径抖动必须很低(参见参考文献1、2和3)。目前可提供孔径抖动低至60fsrms的ADC(AD944514位125MSPS和AD944616位100MSPS)。为了避

振荡器噪声相位