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  • 微功耗功率因数校正器.pdf
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    时间：2025.06.30
    上传者：bruce小肥羊
    摘要微功耗功率因数校正器，采用电压补偿的方法实现了对电网电压的功率因数校正，达到网侧功率因数为总谐波畸变THD为零，其最大优点是，不采用PWM脉宽调制袁不产生EMI干扰,只须将输入功率中的极小部份进行
    微功耗 功率因数校正器 pdf
  • 如何使用LTspice获得出色的EMC仿真结果—第2部分：改善信号完整性
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    大小：5.62MB
    时间：2025.06.30
    上传者：bruce小肥羊
    使用LTspice确保EMC和信号完整性这是介绍LTspice®EMC和信号完整性仿真模型的三篇系列文章的第2部分。在“如何使用LTspice获得出色的EMC仿真结果—第1部分”中，我们介绍了
  • 部分元器件的3d图
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    时间：2025.06.27
    上传者：拉着板车卖地瓜
    部分元器件的3d图片，可下载使用。
    部分 元器件 3d
  • 3300V80A的SiC MOSFET
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    大小：1.68MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    3300V80A sic mosfet
  • 3300V60A的SiC MOSFET
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    大小：1.6MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    3300V60A sic mosfet
  • 3300V20A的SiC MOSFET
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    大小：1.49MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    3300V20A sic mosfet
  • 1700V200A的SiC MOSFET
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    大小：1.64MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
    1700V200A sic mosfet
  • 1700V120A的SiC MOSFET
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    下载：1
    大小：1.89MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
    1700V120A sic mosfet
  • 1700V100A的SiC MOSFET
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    下载：2
    大小：1.62MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
    1700V100A sic mosfet
  • 1700V80A的SiC MOSFET
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    下载：1
    大小：1.48MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    1700V80A sic mosfet
  • 1700V5A的贴片封装SiC MOSFET
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    大小：1.43MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    1700V5A 贴片 封装 sic mosfet
  • 高压1700V40A的SiC MOSFET
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    大小：2.09MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    高压 1700V40A sic mosfet
  • 1700V5A的SiC MOSFET
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    大小：2.07MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    1700V5A sic mosfet
  • 1700V1A的SiC MOSFET
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    大小：1.83MB
    时间：2025.06.26
    上传者：碳化硅MOS管和功率模块
    SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、
    1700V1A sic mosfet
  • 无线通信7.0×5.0mm SMD VCTCXO频率控制与性能参数：基站和移动设备应用中的相位噪声及稳定性分析 ...
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    大小：406.52KB
    时间：2025.06.26
    上传者：FCom富士晶振
    内容概要：本文档详细介绍了T-7S系列SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器）的技术规格和应用领域。该器件采用7.0×5.0×1.9mm陶瓷封装，适用于自动装配，具有紧凑轻便、低功耗的特点。工
  • FVT-3SVCTCXO 3.2×2.5mm 10~52MHz截断正弦波：GPS/IoT/移动设备应用规格与特性概述
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    大小：407.79KB
    时间：2025.06.26
    上传者：FCom富士晶振
    内容概要：本文档详细介绍了FVT-3S系列SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器）的技术规格和应用特性。该产品具有紧凑的3.2×2.5×0.9毫米陶瓷封装，适用于低功耗、小型化和轻量化要求高的
  • FVT-2SVCTCXO电气规格与应用：10~52MHz剪切正弦波在GPS、物联网和移动设备中的使用
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    大小：394.16KB
    时间：2025.06.26
    上传者：FCom富士晶振
    内容概要：本文档详细介绍了FVT-2S系列的SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器），其尺寸为2.5×2.0mm，频率范围在10~52MHz之间。文档提供了电气规格参数表，涵盖供电电压变化、频
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