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从应用角度介绍讲解各种电子元器件
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时间:2019.12.18
上传者:quw431979_163.com
本手册着重从应用角度介绍中外各种电子元器件的分类、主要参数、封装形式等。元器件包括半导体二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管、线性集成电路、TTL和CMOS系列电路、数/模转换器、模/数转换器、电阻器
三极管
半导体
电子元器件
常用电子元器件简明手册PDF电子书
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时间:2019.12.16
上传者:rdg1993
本手册着重从应用角度介绍中外各种电子元器件的分类、主要参数、封装形式等。元器件包括半导体二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管、线性集成电路、TTL和CMOS系列电路、数/模转换器、模/数转换器、电阻器
电容
BUCK型DC-DC变换器中保护电路的设计
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时间:2019.12.23
上传者:quw431979_163.com
西南交通大学硕士学位论文-BUCK型DC-DC变换器中保护电路的设计本文首先对BUCK型DC—DC变换器的相关原理和应用于单片开关电源的常用保护电路进行了介绍。基于0.6umHV-BCD工艺,设计了一
变换器
dc-dc
用于计算 GP2D12 线性化系数的 Excel 表格
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大小:2.34MB
时间:2020.04.02
上传者:978461154_qq
用于计算GP2D12线性化系数的Excel表格……
电源
功率因数校正软件
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时间:2020.03.27
上传者:238112554_qq
功率因数校正软件……
基于BOOST电路的有源功率因数校正设计
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时间:2019.12.31
上传者:978461154_qq
boost
热插拔控制器及其应用
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时间:2020.03.27
上传者:givh79_163.com
热插拔控制器及其应用热插拔控制器及其应用1陈首先香港设计中心工程师2内容简介热插拔简介热插拔控制器及其应用MOSFET的安全运作范围(SOA)LM5068负电压热插拔控制器LM5069正电压热插拔控制
热插拔
控制器
应用高功率半导体缓冲器在高开关频率PWM转换器
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时间:2020.04.10
上传者:rdg1993
应用高功率半导体缓冲器在高开关频率PWM转换器……
电源
零基础自学PLC入门.part2
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时间:2019.12.13
上传者:2iot
利用按钮推动传动机构,使动触点与静触点按通或断开,并实现电路换接的开关。是一种结构简单,应用十分广泛的主令电器。在电气自动控制电路中,用于手动发出控制信号,给PLC输入端子输送输入信号。本参考文献共分
plc
LLC电源是如何实现ZVS的
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时间:2019.12.20
上传者:rdg1993
开关电源原来传统的拓扑如反激正激等,都是硬开关,在开关管开通和关断的时刻有电流和电压的交叠会产生较大的损耗,而软开关的思想是要消除这个交叠损耗,软开关有ZVS何ZCS两种。比如LLC可有效降低mos管
开关电源
llc
电源模块
LLC电源到底是如何实现ZVS的
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时间:2019.12.20
上传者:978461154_qq
开关电源原来传统的拓扑如反激正激等,都是硬开关,在开关管开通和关断的时刻有电流和电压的交叠会产生较大的损耗,而软开关的思想是要消除这个交叠损耗,软开关有软开关有ZVS何ZCS两种。
llc
基于L6561高功率因数反激变换器的设计方程
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时间:2019.12.31
上传者:2iot
反激
变换器
AMETEK_EMC_NSG3040测试仪器使用说明书
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时间:2024.05.16
上传者:Better
AmetekEMCNSG3040测试设备中文说明书,提供使用者方便操作使用
AMETEKEMCNSG3040
测试仪器
使用说明书
双沿调制的四开关Buck_Boost变换器设计
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时间:2019.12.31
上传者:微风DS
该控制策略将变换器分成Buck单元和Boost单元,此两单元分别采用后沿调制和前沿调制,并且在Buck-Boost工作模式时,开关频率由Buck以及Boost模式的200 kHz降到40 kHz,以提
变换器
buck
boost
音频指南TI
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时间:2020.03.31
上传者:wsu_w_hotmail.com
音频指南TIBDGUSBPurePathTM(SoC)www.ti.com.cn2011........................................................
TI
德州仪器
放大器
电子设计1000例
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时间:2020.03.27
上传者:quw431979_163.com
美国国家半导体出品的电路设计参考软件,配有NI芯片应用的原理图和简单说明,是设计电路中极好的参考……
encyclopedia
of
electronic
环形扩压叶栅弯叶片对流场性能的影响
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时间:2020.04.03
上传者:quw431979_163.com
环形扩压叶栅弯叶片对流场性能的影响……
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