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ADC 8-bit EPROM-Based MCU NY8B062E 数据手册

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14IO+12-chADC8-bitEPROM-BasedMCUNY8B062E数据手册_v1.0.pdf

ADC 8bit EPROMBased mcu NY8B062E 数据手册
嵌入式 STM32的GPIO

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嵌入式 stm32 GPIO
VR虚拟现实行业研究报告完整分享.pptx

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时间：2022.03.16

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VR虚拟现实行业研究报告完整分享.pptx

vr 虚拟现实行业研究报告完整分 pptx
人工智能新课标解读与课程设计-首师大-樊磊.pptx

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时间：2022.03.14

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人工智能新课标解读与课程设计-首师大-樊磊.pptx

人工智能新课标解读课程设计师大樊磊 pptx
D2699适应于单节双节干电池低功耗升压IC，升压范围0.9V-5.2V，大电流300mA

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时间：2022.03.11

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D2699适应于单节双节干电池低功耗升压IC，升压范围0.9V-5.2V，大电流300mA

D2699 升压ic
CS8679E扩频功能低空载电流，双声道2X23W或33W（PBTL）D类音频放大器

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时间：2022.03.09

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CS8679E扩频功能低空载电流，双声道2X23W或33W（PBTL）D类音频放大器

CS8679E
LDO与DC-DC对比

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时间：2022.03.08

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简单介绍LDO、DC-DC的基本原理，以及两者的对比。

LDO dcdc
elasticsearch实战_[美] 拉杜·乔戈（radu gheorghe

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Elasticsearch 实战拉杜乔戈 Radu gheorghe
双向DC-DC变换电路设计

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时间：2022.02.28

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双向DC-DC变换电路设计

双向 dcdc 变换电路设计
LTK5313无电感式升压、F类5W音频功率放大器，替代HT8513

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时间：2022.02.24

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LTK5313无电感式升压、F类5W音频功率放大器，替代HT8513

LTK5313 HT8513
一款LLC谐振半桥式功率转换器

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时间：2022.02.11

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TI）设计一款LLC谐振半桥式功率转换器

一款 llc 谐振半桥式功率转换器
碳化硅MOS应用充电桩

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时间：2022.02.15

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

650V 15143 DC-AC修正波逆变器 133747 移相全桥 dab
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
碳化硅MOS应用特种电源

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 特种电源
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

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