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LED驱动显示电路集锦
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时间:2019.12.17
上传者:rdg1993
LED驱动显示电路集锦
led
电工实用经典线路电路图集
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大小:3.74MB
时间:2019.12.17
上传者:rdg1993
本文详细讲了有关最新电工实用经典线路电路图集。
开关电源
二极管
电容
电动车充电器电路详解
所需E币:5
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大小:110.5KB
时间:2019.12.17
上传者:2iot
本文主要讲了电动车充电器的电路,具体的内容就随小编来看看吧。
充电器
汽车电子
电动轿车车架焊合模型图纸
所需E币:3
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大小:96.59KB
时间:2019.12.17
上传者:16245458_qq.com
本文主要讲了电动轿车车架焊合模型——图纸。
汽车电子
STC系列单片机原理图库
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大小:204.01KB
时间:2019.12.17
上传者:微风DS
STC系列单片机原理图库最全资料分享
fpga
嵌入式
变频器完整原理图
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大小:1.06MB
时间:2019.12.17
上传者:微风DS
变频器电路图(变频器完整原理图)
变压器
高亮LED电路大全
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大小:667.35KB
时间:2019.12.18
上传者:quw431979_163.com
NCP1015同样可用于非隔离型(电路中不含高频变压器)1W-8W范围的AC-DCLED照明应用,电路中可以采用抽头(tapped)电感来提高MOSFET工作的占空比,并改善系统能效及电路性能。
LED电源
基于GL850G的USB HUB的原理图和PCB
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大小:92.23KB
时间:2019.12.18
上传者:rdg1993
基于GL850G的USBHUB的原理图和pcb的原理图为orcad文件格式,pcb文件时pads2007格式。
pcb
使用LM1875和NE5532制作的功放电路
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大小:459.6KB
时间:2019.12.18
上传者:quw431979_163.com
LM1875T是美国国家半导体公司九十年代初推出的一款音频功放电集成电路,采用TO-220封装,外围元件少,但是性能优异,具有频率响应宽和速度快等特点,从九十年代初一直到现在还被广大音响爱好者推荐。最
开关电源
mos管开关电路图大全
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大小:560KB
时间:2019.12.18
上传者:978461154_qq
mos管开关电路图(一)图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极,由于Q1是一个P沟道管,它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压,所以不能通电,电压不能继续通过,3v稳压IC输入脚得
mosfet
二极管、三极管、MOS管常用封装实物图
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大小:1.16MB
时间:2019.12.17
上传者:rdg1993
电子元器件有着不同的封装类型,不同类的元器件外形虽然差不多,但内部结构及用途却大不同,譬如TO220封装的元件可能是三极管、可控硅、场效应管甚至是双二极管。TO-3封装的元器件有三极管,集成电路等。今
mosfet
三极管
50个应用电路图经典案例分析
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大小:977.75KB
时间:2019.12.17
上传者:wsu_w_hotmail.com
本文主要讲了50个应用电路图经典案例分析包括了:简单电感量测量装置。
控制器
电感
九款最简单的电子镇流器电路图原理图分析
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大小:511.31KB
时间:2019.12.17
上传者:2iot
从工作原理而言,电子镇流器是一个电源变换电路,它将交流输入市电电源的波形、频率和幅度等参数进行变换,为灯负载提供供电电源,并且要求这个灯负载供电电源电路应能满足灯负载对灯丝预热、点火、正常工作和在灯负
电源模块
电平转换电路解析
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大小:426.49KB
时间:2019.12.17
上传者:978461154_qq
电子工程师在电路设计过程中,经常会碰到处理器MCU的I/O电平与模块的I/O电平不相同的问题,为了保证两者的正常通信,需要进行电平转换。以下,我们将针对电平转换电路做出详细的分析。对于多数MCU,其引
电源模块
h桥电路图工作原理图
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大小:338.34KB
时间:2019.12.18
上传者:微风DS
H桥(H-Bridge),因外形与H相似故得名,常用于逆变器(DC-AC转换,即直流变交流)。通过开关的开合,将直流电(来自电池等)逆变为某个频率或可变频率的交流电,用于驱动交流电机(异步电机等)。
电池
电源模块
sg3525逆变器电路图大全(六款模拟电路工作原理详解)
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大小:634.05KB
时间:2019.12.18
上传者:rdg1993
SG3525引脚功能介绍:Inv.input(引脚1)---误差放大器反向输入端。在闭环系统中,该引脚接反馈信号。在开环系统中,该端与补偿信号输入端(引脚9)相连,可构成跟随器。
逆变电源
绝缘栅型场效应管之图解
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大小:238.8KB
时间:2019.12.18
上传者:2iot
绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于1000000000Ω。增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电
mosfet
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