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放大器设计必备-清华安捷伦

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清华安捷伦放大器―微波功率放大器―洪兴楠清华大学电子工程系清华安捷伦微波EDA咨询培训中心2000年2月6清华―安捷伦微波EDA咨询培训中1微波功率放大器第一章第二章第三章第四章微波功率放大器原理基础

清华安捷伦放
信号源基础 (SRCE 101)

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信号源基础(SRCE101)SRCE101……

信号源基
这东西确实有用,请大家赏脸!Health and elect...

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emf_brochure_and_sheets_en&6301&"/$0..*44*0/$PNNVOJUZSFTFBSDIHealthandelectromagneticfieldsEU-funded

brochure sheets
CDMA_RF_System_Engineering.pdf

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CDMA_RF_System_Engineering_saveCDMARFSystemEngineeringCDMARFSystemEngineeringSamuelC.YangArtechHouse

system engineering
经典：基本的射频概念--- x_Basic_Concepts...

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x_Basic_Concepts_in_RF_DesignBasicConceptsinRFDesignICE669(H.J.Yoo)NonlinearsystemsLinearsystem……

BASIC concepts Design
如何用ADS设计振荡器

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Oscillator_simulateADS-AdvancedCircuitSimulationTechniquesTopic7OscillatorAnalysisandConvergenceSett

oscillator simulate
安捷伦频谱仪应用原版手册

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20059201395263AgilentSpectrumAnalysisBasicsApplicationNote150TableofContentsChapter1……

20059201395263
Design and Control of RF Power...

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DesignandControlofRFPower...,DesignandControlofRFPowerAmplifiers……

Design control power
射频术语对照表(Free)

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射频术语对照表第一课射频术语AAccessControl访问控制ActiveRFIDSystem主动射频系统用自身的射频能量主动地发送数据给读写器ActiveTag有源标签,或称为主动标签AgileR

射频术语对照
【CHMP830JGP-A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：CHMP830JGP-A-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-7A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V

CHMP830JGPAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
Smith原理及应用

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SMITHCHART原理及应用前言印刷……

smith chart 原理
资料XFDTD

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xfdtd_6_show_dec_03_v1Remcom,Inc.315SouthAllenStreetSuite222StateCollege,PA16801www.remcom.com(814)8

xfdtd
本人收集的RF资料，分专题讲述，收获很大！

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本人收集的RF资料，分专题讲述，收获很大！,RF专题2……

专题
CDMA2000 培训资料

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CDMA2000培训资料,CDMA2000培训资料……

cdma2000 培训资料
实现免调整VCO 2

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实现免调整VCO_2VCO((IF)1ICVCOPCB6mmx10mmVCO)(VCO)(IF)VCOMaximPCBVCOIC(MAX2605……

实现免调
ADS仿真MOT PA例子

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ADS仿真MOTPA例子Documentcanbefoundathttp://www.motorola.com/rf/modelsGotoMETandRootLDMOSModelsforAgilent

仿真例子
MIM电容

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MIM电容1C=e×……

电容

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