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SD55182，SD55183，SD55184最大充电电流2A，两节/三节/四节锂电池充电管理芯片

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时间：2023.03.01

上传者：sandtech168

SD55182，SD55183，SD55184最大充电电流2A，升压型两节/三节/四节锂电池充电管理芯片
IU5066耐压33V带OVP保护1.2A单节锂离子线性充电芯片

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时间：2023.03.16

上传者：sandtech168

IU5066耐压33V带OVP保护1.2A单节锂离子线性充电芯片

IU5066 线性充电芯片
IU8373兼容CS83711，两节锂电8.4V供电内置升压17W立体声D类音频功放IC

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时间：2023.03.29

上传者：sandtech168

IU8373兼容CS83711，两节锂电8.4V供电内置升压17W立体声D类音频功放IC

IU8373 兼容 CS83711
IU632兼容DRV632/SGM8903/AD22650，支持3Vrms音频线性驱动器

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时间：2023.04.03

上传者：sandtech168

IU632兼容DRV632/SGM8903/AD22650，支持3Vrms音频线性驱动器

IU632 兼容 drv632 SGM8903 AD22650
SD4400兼容ACT88325四路5V/3A Buck，两路300mA LDO，SSD供电PMU

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时间：2023.04.27

上传者：sandtech168

SD4400兼容ACT88325四路5V/3ABuck，两路300mALDO，SSD专用供电PMU
超低功耗/超小体积/LCD笔段式驱动液晶芯片/VKL128/VKL144A/VKL144B

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时间：2023.06.15

上传者：V13632814412

型号：VKL128品牌：永嘉微电/VINKA封装：LQFP44年份：新年份原厂优势，工程服务，技术支持许鑫：13632814412/Q2885157526

超低功耗超小体积 lcd 笔段驱动液晶芯片 VKL128VKL144AVKL144B
（32*8）256点LCD驱动芯片VK0256 QFP64

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时间：2023.06.19

上传者：V13632814412

品牌：永嘉微电/VINKA封装：QFP64年服务，技术支持8種WDT的基頻選擇可外接32.768KHz石英震盪器內建timebasegenerator以及WDTTimebaseorWDT溢位輸出8種的

328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256 QFP64
（32*8）256点LCD驱动芯片VK0256C LQFP52 完全替代1622

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时间：2023.06.19

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品牌：永嘉微电/VINKA封装：LQFP52年服务，技术支持VK0256C是一個32x8的LCD駆動器.可軟體程式控制使其適用於多樣化的LCD應用線路.僅用到3至4條訊號線便可控制LCD駆動器,除此之

328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256C LQFP52
HOT_配套培训资料13_SCT

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时间：2023.07.10

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HOT_配套培训资料13_SCT

hot 配套培训资料 13SCT
ES_LPC82X

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时间：2023.07.10

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ES_LPC82X数据手册

ESLPC82X
LPC82X

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时间：2023.07.10

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LPC82X参考设计文档

LPC82X
LPC800 用户手册

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时间：2023.07.10

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LPC800用户手册

LPC800 用户手册
LPC824 user manual

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时间：2023.07.10

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LPC824usermanual

LPC824 user manual
高压功率放大器在综合磁性能测试中的应用

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时间：2023.07.31

上传者：Aigtekatdz

高压功率放大器在综合磁性能测试中的应用

高压功率放大器性能测试应用
2SJ168 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SJ168是一款P沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为-60V，额定电流为-0.5A，RDS(ON)参数为3000mΩ（在10V下）和3680mΩ（在4.5V下），以及

2SJ168 VBsemi mosfet datasheet
2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈

2SK1470 VBsemi mosfet datasheet
AM4424N-T1-PF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AM4424N-T1-PF（VBA1311）是VBsemi一种N沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为30V，最大漏极电流为12A，漏源电阻RDS(ON)为12mΩ（在10V

AM4424NT1PF VBsemi mosfet datasheet

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