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LC带通滤波器的耦合变换(免费)
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时间:2020.02.21
上传者:2iot
LC带通滤波器的耦合变换
带通
滤波
器的
免费 高频放大器设计与制作
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时间:2020.02.12
上传者:quw431979_163.com
高频放大器设计与制作高频放大器设计与制作小信号放大器于功率放大器的不同点在此以输出为1W的宽带功率放大器为例,说明功率放大器的设计制作。功率放大器(PowerAmp)与前述之小信号放大器比较,较为注重
高频
放大
器设
78系列芯片介绍
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时间:2020.12.21
上传者:zendy_731593397
78系列芯片介绍78系列芯片介绍
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介绍
PCB设计技巧问与答(免费)
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时间:2020.02.27
上传者:givh79_163.com
PCB设计技巧问与答PCB设计技巧问与答Q:请问就你个人观点而言:针对模拟电路(微波、高频、低频)、数字电路(微波、高频、低频)、模拟和数字混合电路(微波、高频、低频),目前PCB设计哪一种EDA工具
设计
技巧
问与
藍芽耳機中的電源管理解決方案(免费)
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时间:2020.03.03
上传者:微风DS
藍芽耳機中的電源管理解決方案藍芽耳機中的電源管理解決方案|||||||||||||||||圖1:藍芽耳機系統架構。||||本文對CSR公司的藍芽耳機解決方案中使用的電源管理晶片進行了介紹,||分析了T
藍芽
耳機
中的
手機安規[买来的资料,免费发了]
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时间:2020.03.02
上传者:rdg1993
手機安規[买来的资料,免费发了],手機安規……
手機
安規
FPGA与CPLD的区别(免费)
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时间:2020.02.12
上传者:二不过三
FPGA与CPLD的区别FPGA与CPLD的区别作者:佚名 发布日期:2005-12-2321:11 查看数:215 出自:互联网[p
的区
RF PLL(中文,免费)
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时间:2020.02.18
上传者:givh79_163.com
射频锁相环1射频锁相环基础理论 环路的性能 电路实解 锁相环在手机中的应用 一.基础理论锁相环路(PhaseLockedLoop)是一个闭环的相位控制系统,它的
射频
锁相
阻抗匹配与史密斯基本原理 免费~~~~~~~~~~~~~
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时间:2020.02.17
上传者:wsu_w_hotmail.com
阻抗匹配与史密斯基本原理阻抗匹配与史密斯(Smith)圆图:基本原理在处理RF系统的实际应用问题时,总会遇到一些非常困难的工作,对各部分级联电路的不同阻抗进行匹配就是其中之一。一般情况下,需要进行匹配
阻抗
匹配
与史
免费:系列5 手机导电漆及导电胶测试规范
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时间:2020.02.10
上传者:quw431979_163.com
手机导电漆及导电胶测试规范手机导电漆及导电胶测试规范范围本标准规定了手机上导电漆及导电胶的外观检查及性能测试方法。规范性引用文件GB/T2423.3-1993电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定
手机
导电
漆及
[免费]PCB层叠设计基本原则
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时间:2020.02.28
上传者:978461154_qq
PCB层叠设计基本原则PCB层叠设计基本原则编者按:PCB层叠方案需要考虑的因素众多,作为CAD工程师,他往往关注的是尽可能多一些布线层,以达到后期布线的便利,当然,信号质量、EMC问题也是CAD工程
层叠
设计
基本
半导体主要内容(免费)
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时间:2020.02.13
上传者:978461154_qq
半导体主要内容主要内容1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体所谓半导体,顾名思义,就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。用得最多的半导体是锗和硅,都是四价元素。将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有
半导
体主
要内
用戴维南定理分析含受控源电路的两种简便方法(免费)
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时间:2020.02.12
上传者:givh79_163.com
用戴维南定理分析含受控源电路的两种简便方法
用戴
维南
定理
免費分享!探討顯示器省電性的設計方案
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时间:2020.03.04
上传者:238112554_qq
探討顯示器省電性的設計方案探討顯示器省電性的設計方案|||許家銘/DIGITIMES||2008/03/17||||一般大眾常用到的行動產品,通常是指手機、掌上型電玩、數位相機…等,在省電的要求下,|
探討
顯示
器省
数字电路的抗干扰设计『继续免费』
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时间:2020.02.12
上传者:givh79_163.com
061223[pic]在电子系统设计中,为了少走弯路和节省时间,应充分考虑并满足抗干扰性的要求,避免在设计完成后再去进行抗干扰的补救措施。形成干扰的基本要素有三个:(1)干扰源,指产生干扰的元件、设备
061223
SMT工作流程圖.pdf,免费
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时间:2020.03.02
上传者:二不过三
SMT工作流程圖SMT工作流程……
工作
流程
DMOS(免费)
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时间:2020.02.26
上传者:978461154_qq
dmos说明DOMS的全称是Double-diffusedMetalOxideSemiconductor.DMOS工艺:DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。为了提高击穿电压
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