在AI技术与应用的推动下，数据存储需求快速增长，掀起了3D NAND市场新的竞争角逐。本书从各大存储厂商大规模生产1000层3D NAND的计划入手，探讨了3D NAND“千层时代”的挑战及相关解决方案。并结合台积电A16新工艺、JEDEC GDDR7新标准、美光LPDDR5X内存及LPCAMM2模块和量子存储器等业界最新动态，探讨了3D NAND/3D IC设计中所存在的可靠性挑战、测试挑战以及面向下一代计算的新型存储器技术。

本期主要内容

聚焦 生成式AI引爆存储成长，3D NAND“千层时代”到来 台积电A16工艺在技术领导力竞赛中取得突破 GDDR7增加空间以应对AI压力 新型量子存储器能否帮助构建未来网络？ 美光为台式机、笔记本电脑和数据中心带来LPDDR5X 在芯粒时代充分利用ATE测试秒数 三星与台积电的PLP技术之争 专有存储器是一项高风险的事业

设计新技术 3D IC半导体设计中的可靠性挑战 仅OTS内存为下一代计算带来希望 旨在重振3D-IC设计的热分析工具 SoC设计：当片上网络遇到缓存一致性时