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碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的加工过程中，终点检测技术是一项至关重要的技术，它能够在加工结束时准确判断切割或研磨的完成度，从而确保碳化硅衬底的TTV均匀性。本文将探讨终点检测技术对碳化硅衬底TTV均匀性的帮助。 一、终点检测技术的重要性 终点检测技术是一种在材料加工过程中，通过监测加工过程中的某些物理或化学变化，来准确判断加工是否达到预定目标的技术。在碳化硅衬底的加工中，终点检测技术的重要性体现在以下几个方面： 提高加工精度：通过终点检测技术，可以准确判断切割或研磨的完成度，避免过度加工或加工不足，从而提高碳化硅衬底的加工精度。 确保TTV均匀性：终点检测技术能够实时监测加工过程中的厚度变化，及时调整加工参数，确保碳化硅衬底的TTV均匀性。 提高生产效率：通过终点检测技术，可以优化加工过程，减少不必要的加工时间和成本，提高生产效率。 二、终点检测技术在碳化硅衬底加工中的应用 在碳化硅衬底的加工过程中，终点检测技术有多种应用方式，包括但不限于： 光学干涉法：光学干涉法是一种常用的终点检测技术，它利用光波在材料表面的反射和干涉现象，来监测材料厚度的变化。在碳化硅衬底的加工中，光学干涉法可以实时监测衬底表面的厚度变化，确保TTV的均匀性。 激光测距法：激光测距法利用激光束的反射原理，测量材料表面的距离变化。在碳化硅衬底的加工中，激光测距法可以实时监测衬底表面的高度变化，及时调整加工参数，确保TTV的均匀性。 电化学监测法：电化学监测法通过在加工过程中引入电解质溶液，监测加工过程中电流或电压的变化，来判断加工是否完成。在碳化硅衬底的加工中，电化学监测法可以实时监测加工过程中的材料去除速率，确保TTV的均匀性。 三、终点检测技术对TTV均匀性的帮助 终点检测技术对碳化硅衬底TTV均匀性的帮助主要体现在以下几个方面： 实时监测与反馈：终点检测技术能够实时监测加工过程中的厚度变化，及时提供反馈，使加工过程更加可控和稳定。 优化加工参数：根据终点检测技术的反馈，可以及时调整加工参数，如进给量、切割速度、研磨压力等，以确保TTV的均匀性。 减少加工误差：通过终点检测技术，可以准确判断加工是否完成，避免过度加工或加工不足导致的误差，从而提高碳化硅衬底的加工精度和TTV均匀性。 四、结论 终点检测技术在碳化硅衬底加工中发挥着至关重要的作用，它能够提高加工精度，确保TTV均匀性，提高生产效率。随着技术的不断进步和创新，终点检测技术将更加智能化和自动化，为碳化硅衬底的加工提供更加精确和可靠的保障。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，终点检测技术将成为提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键技术之一。同时，对于碳化硅衬底加工过程中的其他关键因素，如切割工具的选择、冷却与润滑、装夹方式等，也需要进行深入研究和优化，以实现更高的加工精度和TTV均匀性。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的切割过程中，进给量是一个至关重要的参数，它直接决定了切割过程中材料的去除速率和去除量的均匀性。本文旨在探讨如何通过适当减少进给量，使切割材料去除量更均匀，从而提高碳化硅衬底的TTV均匀性。 一、进给量对碳化硅衬底TTV均匀性的影响 进给量是指切割工具在切割过程中相对于工件移动的速度。在碳化硅衬底的切割过程中，进给量的大小直接影响切割效率和切割质量。过大的进给量会导致以下问题： 不均匀的材料去除：过大的进给量会导致切割工具在碳化硅衬底表面的接触时间变短，材料去除量不均匀，从而在衬底表面产生厚度变化，影响TTV的均匀性。 切割热效应：过大的进给量会增加切割过程中的摩擦热，导致切割工具和碳化硅衬底局部温度升高，可能引起热变形和微裂纹，进一步影响TTV的均匀性。 切割工具磨损：过大的进给量会加速切割工具的磨损，缩短其使用寿命，同时增加切割过程中的振动和不稳定因素，影响TTV的均匀性。 二、适当减少进给量的策略 为了提高碳化硅衬底的TTV均匀性，需要适当减少进给量，使切割材料去除量更均匀。以下是一些策略： 优化切割参数： 通过实验和仿真分析，找到最佳的切割参数组合，包括进给量、切割速度和切割深度等，以实现最佳的TTV均匀性。 在保证切割效率的前提下，适当降低进给量，使切割过程更加平稳和可控。 采用高精度切割设备： 使用高精度、高稳定性的切割设备，可以减少切割过程中的振动和不稳定因素，提高切割精度和TTV均匀性。 确保切割设备的各个部件都经过精密加工和装配，以提高整体的刚度和精度。 选择合适的切割工具： 根据碳化硅衬底的特性和加工要求，选择合适的切割工具材质和形状。 确保切割工具的刃口锋利、均匀，以减少切割过程中的振动和划痕。 加强工艺监控和质量控制： 在切割过程中，使用高精度的测量仪器对碳化硅衬底的TTV进行实时监测和反馈。 根据监测结果，及时调整切割参数或采取其他措施，以确保TTV的均匀性达到设计要求。 三、结论 适当减少进给量是提高碳化硅衬底TTV均匀性的有效策略之一。通过优化切割参数、采用高精度切割设备、选择合适的切割工具以及加强工艺监控和质量控制等措施，可以使切割材料去除量更均匀，从而提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。同时，对于碳化硅衬底加工过程中的其他关键因素，如冷却与润滑、装夹方式等，也需要进行深入研究和优化，以实现更高的加工精度和TTV均匀性。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中扮演着至关重要的角色。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的加工过程中，研磨是一个关键步骤，而研磨刀片与碳化硅衬底间的振动是影响TTV均匀性的一个重要因素。本文旨在探讨如何通过减少这种振动，以提高碳化硅衬底的TTV均匀性。 一、振动对碳化硅衬底TTV均匀性的影响 在研磨过程中，研磨刀片与碳化硅衬底之间的振动会导致以下几个问题： 不均匀的材料去除：振动会导致研磨刀片在碳化硅衬底表面的接触压力分布不均，从而导致材料去除速率的不均匀，进而影响TTV的均匀性。 表面损伤：振动还可能引起研磨刀片与碳化硅衬底之间的微小碰撞，这些碰撞会在衬底表面产生划痕或微裂纹，进一步影响TTV的均匀性和衬底的整体质量。 加工效率下降：振动会增加研磨过程中的能量损失，导致加工效率下降，同时增加研磨刀片的磨损，缩短其使用寿命。 二、减少振动的策略 为了减少研磨刀片与碳化硅衬底间的振动，提高TTV均匀性，可以采取以下策略： 1.优化研磨设备： 采用高精度、高刚性的研磨设备，以减少设备本身的振动。 确保研磨设备的各个部件（如主轴、工作台等）都经过精密加工和装配，以提高整体的稳定性和精度。 2.选择合适的研磨刀片： 根据碳化硅衬底的特性和加工要求，选择合适的研磨刀片材质和形状。 确保研磨刀片的刃口锋利、均匀，以减少研磨过程中的振动和划痕。 3.优化研磨参数： 合理设置研磨压力、转速和研磨液的流量等参数，以减少振动和提高加工效率。 通过实验和仿真分析，找到最佳的研磨参数组合，以实现最佳的TTV均匀性。 4.采用先进的振动控制技术： 利用主动或被动振动控制技术，如主动减震器、隔振垫等，来减少研磨过程中的振动。 通过实时监测和分析研磨过程中的振动数据，对振动进行主动控制，以进一步提高TTV均匀性。 5.加强工艺监控和质量控制： 在研磨过程中，使用高精度的测量仪器对碳化硅衬底的TTV进行实时监测和反馈。 根据监测结果，及时调整研磨参数或采取其他措施，以确保TTV的均匀性达到设计要求。 三、结论 减少研磨刀片与碳化硅衬底间的振动是提高碳化硅衬底TTV均匀性的关键。通过优化研磨设备、选择合适的研磨刀片、优化研磨参数、采用先进的振动控制技术以及加强工艺监控和质量控制等措施，可以有效地减少振动，提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多 层 结 构，厚 度 可 从μm级到数百μm 级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而，碳化硅衬底的加工精度要求极高，尤其是在总厚度变化（TTV）方面，任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此，选择合适的装夹方式，避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，是提高其TTV均匀性的关键。 一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题 在碳化硅衬底的加工过程中，如切割、研磨、抛光等步骤，衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当，衬底可能会因为受力不均、装夹力不足或装夹点布局不合理等原因，发生位移或晃动。这种位移或晃动不仅会影响加工精度，还会在衬底表面产生应力，导致TTV均匀性下降，进而影响后续工艺和最终产品的性能。 二、选择合适的装夹方式 为了避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，需要选择合适的装夹方式。以下是几种常见的装夹方式及其优缺点： 真空吸附装夹： 优点：适用于薄片状碳化硅衬底，能够均匀分布装夹力，避免局部应力集中。 缺点：对真空泵的性能要求较高，且对于较厚的衬底，吸附力可能不足。 机械夹紧装夹： 优点：装夹力大，适用于较厚的碳化硅衬底。 缺点：需要精确控制装夹力的大小，以避免衬底变形；装夹点布局需要合理，以减少应力集中。 弹性装夹： 优点：能够补偿衬底在加工过程中的微小变形，提高加工精度。 缺点：设计复杂，成本较高。 磁吸附装夹： 优点：装夹速度快，适用于需要频繁更换衬底的加工场景。 缺点：对衬底的磁性有要求，不适用于所有类型的碳化硅衬底。 三、优化装夹方式以提高TTV均匀性 在选择合适的装夹方式的基础上，还需要进一步优化装夹参数，以提高碳化硅衬底的TTV均匀性。具体措施包括： 合理布局装夹点：根据碳化硅衬底的形状和尺寸，合理布局装夹点，以减少应力集中和衬底变形。 精确控制装夹力：使用高精度的测量仪器（如测力计）来精确控制装夹力的大小，确保装夹力既能够固定衬底，又不会导致变形。 采用浮动装夹技术：对于需要高精度加工的碳化硅衬底，可以采用浮动装夹技术，以补偿加工过程中的微小变形和误差。 实时监测与反馈：在加工过程中，使用高精度的测量仪器（如激光测距仪）对衬底的位移和晃动进行实时监测和反馈，一旦发现异常，立即调整装夹方式或加工参数。 四、结论 选择合适的装夹方式，对于避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，提高其TTV均匀性至关重要。通过合理布局装夹点、精确控制装夹力、采用浮动装夹技术以及实时监测与反馈等措施，可以进一步优化装夹方式，提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而，在碳化硅衬底的加工过程中，装夹力的大小对衬底的变形和TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）均匀性有着重要影响。本文旨在探讨如何控制装夹力大小，以避免碳化硅衬底变形，进而影响其TTV均匀性。 一、装夹力对碳化硅衬底变形的影响 在碳化硅衬底的加工过程中，装夹力主要用于固定衬底，确保其在加工过程中的稳定性和位置精度。然而，过大的装夹力会导致衬底产生应力，进而引发变形，影响TTV的均匀性。具体表现在以下几个方面： 应力分布不均：过大的装夹力会在衬底表面产生不均匀的应力分布，导致衬底在加工过程中发生局部变形，进而影响TTV的均匀性。 晶格损伤：过大的装夹力还可能对碳化硅衬底的晶格结构造成损伤，导致晶体质量下降，进而影响其电学性能和可靠性。 加工误差：装夹力过大或过小都可能导致加工过程中的误差，如切割误差、研磨误差等，这些误差会进一步影响TTV的均匀性。 二、控制装夹力大小的方法 为了避免碳化硅衬底变形，进而影响TTV均匀性，需要采取一系列措施来控制装夹力的大小。 选择合适的装夹方式：根据碳化硅衬底的特性和加工要求，选择合适的装夹方式。例如，对于薄片状的碳化硅衬底，可以采用真空吸附或机械夹紧的方式；对于较厚的衬底，则可以考虑使用螺栓固定或夹持装置。 精确测量和调整装夹力：在装夹过程中，应使用高精度的测量仪器（如测力计、扭矩扳手等）来精确测量和调整装夹力的大小。确保装夹力在适宜的范围内，既能够固定衬底，又不会导致变形。 优化装夹点的布局：装夹点的布局对衬底的变形有着重要影响。应根据衬底的形状和尺寸，合理分布装夹点，以减少局部应力集中和变形。同时，应避免在衬底的脆弱区域设置装夹点，以减少晶格损伤的风险。 采用先进的装夹技术：随着科技的发展，越来越多的先进装夹技术被应用于碳化硅衬底的加工中。例如，采用浮动装夹技术可以减少衬底在加工过程中的应力集中；使用智能装夹系统可以根据加工过程中的实际情况自动调整装夹力的大小。 三、实时监测与反馈 在碳化硅衬底的加工过程中，应实时监测装夹力和衬底的变形情况。通过高精度的测量仪器（如激光测距仪、应变计等）对装夹力和衬底变形进行实时监测和反馈。一旦发现装夹力过大或衬底变形的情况，应立即调整加工参数或重新装夹，以确保加工质量和TTV的均匀性。 四、质量控制体系的建立 建立严格的质量控制体系是确保碳化硅衬底加工质量和TTV均匀性的重要保障。应制定详细的加工流程和操作规程，对装夹力的大小、装夹点的布局、加工参数等进行严格控制。同时，应对加工过程中的每个环节进行质量监控和记录，以便及时发现并解决问题。 结语 碳化硅衬底的TTV均匀性对其在高性能电子器件中的应用具有重要意义。通过控制装夹力的大小，可以避免衬底变形，进而影响TTV的均匀性。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工质量和TTV均匀性的要求将越来越高。因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。