原创 集成电路中ESD损伤失效模式

集成电路中ESD损伤失效模式

     随着现代社会的飞速发展，我们对电子设备的依靠与日俱增.现代电脑越来越多的采用低功率逻辑芯片，由于MOS的电介质击穿和双极反向结电流的限制，使这些逻辑芯片对ESD非常敏感。下面是一些ESD对集成电路损坏分析:
ESD损伤的失效模式

（1）双极型数字电路                                                                                               

a.输入端漏电流增加   b.参数退化    c.失去功能，其中对带有肖特基管的STTL和LSTTL电路更为敏感。

（2）双极型线性电路

a.输入失调电压增大     b.输入失调电流增大     c.MOS电容（补偿电容）漏电或短路   d.失去功能

（3）MOS集成电路

a.输入端漏电流增大      b.输出端漏电流增大    c.静态功耗电流增大     d.失去功能

（4）双极型单稳电路和振荡器电路

a.单稳电路的单稳时间发生变化   b.振荡器的振荡频率发生变化   c.R.C连接端对地出现反向漏电。

      静电可以损害USB接口，造成USB集成电路故障，最糟糕的是会在电子系统中产生数据位重影。这些损害和故障造成电子设备的"硬性损伤"或元器件损坏。因此针对USB元件，集成电路的ESD防护已经迫在眉睫，MOS大规模电路在使用过程中必须采取严格的防ESD措施。

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