模拟-电子电路、模拟信号_模拟技术应用技巧-第5页-面包板社区

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爱上电路设计 2024-8-10 10:00: 原创 TINA-TI电路仿真实例; 目录：一、运放缓冲器电路分析 1、电路搭建 2、直流特性分析 3、交流特性分析 4、瞬时现象分析(时域) 5、稳定输出的缓冲器电路二 ...; 1466 2 0 2

TINA-TI

爱上电路设计 2024-8-10 09:45: 原创电缆线的阻抗50Ω，真正含义是什么？; 当我们提到电缆线的阻抗时，它到底是什么意思？RG58电缆通常指的是50Ω的电缆线。它的真正含义是什么？假如取一段3英尺(0 ...; 581 4 1 3

硬件电路设计

techff 2024-8-9 17:09: 复习一下运算放大器; 方便多用途的集成电路 — 运算放大器运算放大器是一种可以进行数学运算的放大电路。运算放大器不仅可以通过增大或减小模拟输入信号来实现放大，还可以 ...; 440 3 0 3

运算放大器

techff 2024-8-9 17:08: 半导体的有源元件：二极管、晶体管、FET; 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物 ...; 364 2 0 2

CMOS 二极管

techff 2024-8-9 17:07: 构成电路的无源元件的工作原理; 我们周遭所使用的所有电子设备均通过电流来控制其运行，而电流的连通则需要电路的支持。通过在电路上搭载各种元器件，我们可实现由简单到复杂的各种操作。 ...; 606 3 0 3

无源元件

锦正茂科技 2024-8-9 13:58: 原创亥姆霍兹线圈实验目的及实验原理是什么; 实验目的： 1.观察亥姆霍兹线圈中间磁场的均匀性，验证磁场叠加原理。 2.了解一种得到均匀磁场的实验室方法。实验原理：亥姆霍兹线圈是由两个相 ...; 389 3 0 3

亥姆霍兹线圈磁场设备电磁场均匀磁场线圈

锦正茂科技 2024-8-9 13:44: 原创磁场发生器的选择方法; 目前常用的磁场发生器类型，一般有固定磁场，亥姆霍兹线圈，螺旋管线圈，及电磁铁等磁场发生器。固定磁场，标准磁场是由多个yong久磁铁，通过磁场回路，达到 ...; 298 3 0 3

磁场设备磁场发生器电磁铁亥姆霍兹线圈螺线管

lyyinhe_xi 2024-8-7 23:09: 《运放电路环路稳定性设计》运放电路原理到评测; 非常有幸得到了这样一本专业电子模拟电路方面的书籍，这本书以全面而系统的方式，向读者展示了运放环路稳定性设计的核心原理和实际操作步 ...; 824 4 0 4

lynchem 2024-8-5 18:43: 原创《运放电路环路稳定性设计》+有感而发; 不知觉间本人从事于硬件开发工作也已经12年之久；不可避免的在项目中使用到运算放大器，也能算了解其特性了吧，说实话这几年已经渐渐不去考虑仿真了，更多时 ...; 762 5 1 3

运放仿真

电子知识打边炉 2024-8-5 12:44: 原创元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通; 功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容，在功率MOSFET规格书中，Cgd 表示为 Crss，而（Cgd + Cgs）表 ...; 633 4 0 4

电子知识打边炉 2024-8-4 21:17: 原创元器件第046篇功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS; 如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压，并不断增大，超过其 Vds最大值，那么总有一个电压的极限值，使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...; 349 2 0 2

电子知识打边炉 2024-8-3 23:25: 原创元器件第045篇功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt （二）; 在元器件第044篇中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径：Cgd和Cgs，它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...; 408 3 0 3

电子知识打边炉 2024-8-1 23:55: 原创元器件第044篇功率MOSFET 寄生电容模型; 寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关，体现着器件的“内在个性”。毫不意外，功率MOSFET的 ...; 1051 5 0 5

电子知识打边炉 2024-8-1 23:26: 原创原理设计第007篇电容串联使用时的总容量和分压; 虽然使用的机会不多，但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联，也可以用不同规格的电容串联。电容器串联 ...; 698 4 0 4

电子知识打边炉 2024-8-1 00:29: 原创元器件第043篇功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt; 功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧，是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...; 952 3 0 3

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