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lyyinhe_xi
2024-8-7 23:09
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2024-8-5 18:43
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电子知识打边炉
2024-8-5 12:44
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元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通
功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容,在功率MOSFET规格书中,Cgd 表示为 Crss,而 (Cgd + Cgs)表 ...
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电子知识打边炉
2024-8-4 21:17
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元器件第046篇 功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS
如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压,并不断增大,超过其 Vds最大值,那么总有一个电压的极限值,使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...
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电子知识打边炉
2024-8-3 23:25
原创
元器件第045篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt (二)
在 元器件第044篇 中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径:Cgd和Cgs,它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 23:55
原创
元器件第044篇 功率MOSFET 寄生电容模型
寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关,体现着器件的“内在个性”。毫不意外,功率MOSFET的 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 23:26
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原理设计第007篇 电容串联使用时的总容量和分压
虽然使用的机会不多,但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联,也可以用不同规格的电容串联。 电容器串联 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 00:29
原创
元器件第043篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt
功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧,是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...
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