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电子知识打边炉 2024-5-21 10:44
- 原创 元器件第037篇 半导体器件 IEC60747标准
- IEC 60747 标准是半导体器件的常用技术标准，规范了电气特性参数和测量方法。该标准包含以下分册，涉及分立器件、集成电路、传感器组件 ...
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- 原创 元器件第036篇 E优先数系
- 市场上的电阻器，阻值并不连续，最常见的是上表中的E24和E96。电容器也有一个系列，只是和电阻器相比品种少一些，是表中的E6和E12。 ...
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- 原创 元器件选型第004篇 如何计算电阻器的脉冲功率是不是超标
- 先说结论： 膜工艺电阻器，脉冲功率承受能力从差到好的次序是厚膜电阻 < 薄膜电阻 < 碳膜电阻。 & ...
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- 原创 元器件第035篇 电阻器 脉冲功率
- 电阻器可以承受比额定功率高的脉冲功率。脉冲功率的大小跟脉冲特性、散热条件以及电阻器结构和材料特性有关。 脉冲的形状和持 ...
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- 原创 元器件第034篇 电阻器 额定功率 额定电压 极限电压
- 额定功耗 / Rated Dissipation 根据 IEC 60115-1/GB 5729 的定义，额定功耗是指在 70摄氏度环境温度下进行耐久性试验，试验结束时 ...
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- 原创 元器件第033篇 电阻器 结构 分类 标准
- 电阻器是四大基本元件之一，可能是诞生最早的元件了。初中物理教材中出现的电子元件只有电阻器，所以一直以为它很简单。 &nbs ...
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qwerty1394 2024-5-5 23:22
- 低通滤波器上低ESR电容器的效果和注意点
- 近年来，电子设备上使用开关电源在日益增多。开关电源对高效率化和小型化做出了较大的贡献，但是也有不少负面影响，即起因于其动作的开关噪声成为较大的噪声源 ...
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- 原创 元器件第032篇 功率MOSFET 封装
- 功率MOSFET的D极附近产生的热量最多。功率MOS采用垂直结构（另见元器件第029篇 MOSFET 结构 分类），由于低掺杂（高电阻率）的外延层位于D极附近 ...
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- 原创 元器件第031篇 功率MOSFET 简介
- 功率MOSFET也叫功率MOS，我理解是这样一种MOSFET器件——为开关方式工作而设计，以导通和切断大的漏极电流为特征。开关方式的意思是其工作点在线 ...
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- 原创 基础理论第004篇 能带说
- 能带（Energy Band）是一种理论。如果把“能级说”（见基础理论第002篇）视为离散、数字化，那么对应连续、模拟化的就是“能带说”。量子物理把 ...
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- 原创 元器件第030篇 MOSFET 标准
- MOSFET的技术标准大致包含 2 类——电气特性，特性测试。 IEC60747.8 是定义MOSFET电气特性的标准，当前最新版本是 IEC60747 ...
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- 原创 元器件第029篇 MOSFET 结构 分类
- MOSFET也叫MOS，它是一种三端子器件，包含两个PN结。 MOSFET的微观结构主要分为2类——平面结构（Planar）和垂直结构（ ...
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- 原创 元器件第028篇 功率MOSFET 栅极阈值电压Vgs-th
- 栅极阈值电压是功率MOSFET器件的静态参数之一，简称为 Vgs-th，其中gs表示从Gate到Source，th表示threshold。 对于增强型MOSFET ...
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- 原创 基础理论第003篇 分子 化学键
- 前一篇说的是独立原子的结构，这一篇记录分子。 分子由2个及以上的原子组成，既可以是相同原子（元素单质），也可以是 ...
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techff 2024-4-23 13:54
- 了解运算放大器电路中的功耗设计
- 首先，我们讨论具有低静态电流 (IQ) 的放大器以及增加反馈网络电阻值与功耗的关系。 让我们首先考虑一个可能需要关注功率的示例电路：电池供电的传感器在 ...
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