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techff 2024-8-9 17:07
- 构成电路的无源元件的工作原理
- 我们周遭所使用的所有电子设备均通过电流来控制其运行，而电流的连通则需要电路的支持。 通过在电路上搭载各种元器件，我们可实现由简单到复杂的各种操作。 ...
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无源元件
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锦正茂科技 2024-8-9 13:58
- 原创 亥姆霍兹线圈实验目的及实验原理是什么
- 实验目的： 1.观察亥姆霍兹线圈中间磁场的均匀性，验证磁场叠加原理。 2.了解一种得到均匀磁场的实验室方法。 实验原理 ： 亥姆霍兹线圈是由两个相 ...
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- 原创 磁场发生器的选择方法
- 目前常用的磁场发生器类型，一般有固定磁场，亥姆霍兹线圈，螺旋管线圈，及电磁铁等磁场发生器。 固定磁场，标准磁场是由多个yong久磁铁，通过磁场回路，达到 ...
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lyyinhe_xi 2024-8-7 23:09
- 《运放电路环路稳定性设计》运放电路原理到评测
- 非常有幸得到了这样一本专业电子模拟电路方面的书籍，这本书以全面而系统的方式，向读者展示了运放环路稳定性设计的核心原理和实际操作步 ...
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lynchem 2024-8-5 18:43
- 原创 《运放电路环路稳定性设计》+有感而发
- 不知觉间本人从事于硬件开发工作也已经12年之久；不可避免的在项目中使用到运算放大器，也能算了解其特性了吧，说实话这几年已经渐渐不去考虑仿真了，更多时 ...
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电子知识打边炉 2024-8-5 12:44
- 原创 元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通
- 功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容，在功率MOSFET规格书中，Cgd 表示为 Crss，而 （Cgd + Cgs）表 ...
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- 原创 元器件第046篇 功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS
- 如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压，并不断增大，超过其 Vds最大值，那么总有一个电压的极限值，使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...
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- 原创 元器件第045篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt （二）
- 在 元器件第044篇 中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径：Cgd和Cgs，它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...
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- 原创 元器件第044篇 功率MOSFET 寄生电容模型
- 寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关，体现着器件的“内在个性”。毫不意外，功率MOSFET的 ...
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- 原创 原理设计第007篇 电容串联使用时的总容量和分压
- 虽然使用的机会不多，但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联，也可以用不同规格的电容串联。 电容器串联 ...
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- 原创 元器件第043篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt
- 功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧，是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...
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- 原创 元器件第042篇 功率MOSFET 寄生二极管和寄生三极管模型
- 下图是一个垂直结构、平面型栅极、n沟道的功率MOSFET。源极在上，漏极在下，中间是为提高漏-源截止耐压而插入的外延层（epi），外延层采用n-掺杂 ...
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LJL 2024-7-27 19:05
- 原创 《运放电路环路稳定性设计》+第一章阅读
- 一边读一边写感受。 读这本书的第一感受是：不亲民。这本书的作者应该是一位对理论非常熟悉的人。书中大量公式、图示并未进行详细解释，所以目标读者是基础不错 ...
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丙丁先生 2024-7-27 15:15
- 原创 如何离线驱动高电压LED
- 离线驱动高电压LED的方法主要包括选择合适的电源、设计匹配的驱动电路以及确保电气隔离和安全性等关键措施。高电压LED的应用日益广泛，从普通照明到特殊工业和商 ...
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- 双电源供电运算放大器输入端交流耦合
- 如图1所示，一个电阻连接在运算放大器的输入端与地之间，从而为输入偏置电流提供了一个回路。在使用双极性运放的时候，为最小化输入偏置电流导致的失调电压，考 ...
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