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techff
2024-8-9 17:08
半导体的有源元件:二极管、晶体管、FET
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体 硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间,用于制造半导体器件的原材料,具有一定电阻率。不同的物 ...
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techff
2024-8-9 17:07
构成电路的无源元件的工作原理
我们周遭所使用的所有电子设备均通过电流来控制其运行,而电流的连通则需要电路的支持。 通过在电路上搭载各种元器件,我们可实现由简单到复杂的各种操作。 ...
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锦正茂科技
2024-8-9 13:58
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亥姆霍兹线圈实验目的及实验原理是什么
实验目的: 1.观察亥姆霍兹线圈中间磁场的均匀性,验证磁场叠加原理。 2.了解一种得到均匀磁场的实验室方法。 实验原理 : 亥姆霍兹线圈是由两个相 ...
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亥姆霍兹线圈
磁场设备
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均匀磁场
线圈
锦正茂科技
2024-8-9 13:44
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磁场发生器的选择方法
目前常用的磁场发生器类型,一般有固定磁场,亥姆霍兹线圈,螺旋管线圈,及电磁铁等磁场发生器。 固定磁场,标准磁场是由多个yong久磁铁,通过磁场回路,达到 ...
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磁场设备
磁场发生器
电磁铁
亥姆霍兹线圈
螺线管
lyyinhe_xi
2024-8-7 23:09
《运放电路环路稳定性设计》运放电路原理到评测
非常有幸得到了这样一本专业电子模拟电路方面的书籍,这本书以全面而系统的方式,向读者展示了运放环路稳定性设计的核心原理和实际操作步 ...
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lynchem
2024-8-5 18:43
原创
《运放电路环路稳定性设计》+有感而发
不知觉间本人从事于硬件开发工作也已经12年之久;不可避免的在项目中使用到运算放大器,也能算了解其特性了吧,说实话这几年已经渐渐不去考虑仿真了,更多时 ...
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运放
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电子知识打边炉
2024-8-5 12:44
原创
元器件选型第005篇 Ciss/Crss与高压功率MOSFET意外导通
功率MOSFET可用寄生电容模型来表示。漏-栅电容 Cgd 和栅-源电容 Cgs 组成串联电容,在功率MOSFET规格书中,Cgd 表示为 Crss,而 (Cgd + Cgs)表 ...
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电子知识打边炉
2024-8-4 21:17
原创
元器件第046篇 功率MOSFET 无箝位感性负载开关能力 UIS
如果对截止状态的功率MOSFET施加漏-源电压,并不断增大,超过其 Vds最大值,那么总有一个电压的极限值,使得功率MOSFET击穿。漏-源电压增大的过程 ...
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电子知识打边炉
2024-8-3 23:25
原创
元器件第045篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt (二)
在 元器件第044篇 中介绍了功率MOSFET的寄生电容模型。在漏-源之间有一个串联电容路径:Cgd和Cgs,它们组成一个分压电路。电容可以“导通”AC电 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 23:55
原创
元器件第044篇 功率MOSFET 寄生电容模型
寄生电容是元器件对外呈现的一种电容特性。寄生电容的大小和频率特性和器件内部结构密切相关,体现着器件的“内在个性”。毫不意外,功率MOSFET的 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 23:26
原创
原理设计第007篇 电容串联使用时的总容量和分压
虽然使用的机会不多,但是电容器确实可以串联使用。既可以用若干个相同规格的电容串联,也可以用不同规格的电容串联。 电容器串联 ...
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电子知识打边炉
2024-8-1 00:29
原创
元器件第043篇 功率MOSFET 漏-源电压变化率 dV/dt
功率MOSFET常常在关断大电流的瞬间烧掉。烧,是指因过电流热效应而失效。这个现象对应下图SOA曲线中的 #4 部分。 & ...
1165
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电子知识打边炉
2024-8-1 00:09
原创
元器件第042篇 功率MOSFET 寄生二极管和寄生三极管模型
下图是一个垂直结构、平面型栅极、n沟道的功率MOSFET。源极在上,漏极在下,中间是为提高漏-源截止耐压而插入的外延层(epi),外延层采用n-掺杂 ...
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LJL
2024-7-27 19:05
原创
《运放电路环路稳定性设计》+第一章阅读
一边读一边写感受。 读这本书的第一感受是:不亲民。这本书的作者应该是一位对理论非常熟悉的人。书中大量公式、图示并未进行详细解释,所以目标读者是基础不错 ...
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丙丁先生
2024-7-27 15:15
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如何离线驱动高电压LED
离线驱动高电压LED的方法主要包括选择合适的电源、设计匹配的驱动电路以及确保电气隔离和安全性等关键措施。高电压LED的应用日益广泛,从普通照明到特殊工业和商 ...
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