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用户1439292
2009-11-25 15:21
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芯片失效分析
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类 别 项 目 名 称 注 释 单 位 芯片开封 普通封装 . 颗 特殊封装 BGA/COB/ ...
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用户1439292
2009-11-25 15:20
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ESD静电放电模式
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静 电 放 电 模 式 目前工业界大致定义了以下三种常见静电放电模式: HBM人体模式: 人体模式是ESD模型中建立最早和最主要的模型之 ...
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用户1439292
2009-11-25 15:18
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Latch-up 闩锁效应
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* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应. 在整体硅的CMOS 管下, 不同极性搀杂的区域间都会构成P-N ...
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用户1439292
2009-11-25 14:36
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FEI DualBeam 820. FIB/SEM(离子束/电子束)双束机台
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展芯芯片分析实验室 FIB性能参数 型号:FEI DualBeam 820. FIB/SEM(离子束/电子束)双束机台 大陆地区第一台投入商业服务的Dual-B ...
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用户1439292
2009-11-25 14:34
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SEM 扫描电镜/EDX能量弥散X光仪应用
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SEM 扫描电镜 / EDX能量弥散X光仪应用 * 材料结构分析/缺陷观察 * 元素组成常规微区分析 * 精确测量元器件尺寸 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:32
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EMMI微光显微镜
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* EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具, 提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光), 由此捕捉各种元件 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:31
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OBIRCH 原理
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OBIRCH 原理: 用激光束在器件表面扫描,激光束的部分能量转化为热量。如果互连线中存在缺陷或者空洞,这些区域附近的热量传导不同于其他 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:30
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LC液晶热点侦测
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利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像, 找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。LC可侦测因E ...
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用户1439292
2009-11-25 14:28
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芯片化学处理
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类 别 项 目 名 称 注 释 单 位 层次去除 去层—passivation钝化层 SIO2、SI3N4 层 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:26
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Decap 开封
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开封, 即开盖/开帽, 指去除ic封胶, 同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受损伤, 为下一步芯片失效分析 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:24
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取晶拍照评估
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取晶: 以化学腐蚀的方法将晶粒(die)从封装中取出,以利下一步拍照评估,层次去除或其他分析的进行。 拍照评估: 取晶后将晶粒置于显微镜下 ...
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用户1439292
2009-11-25 14:03
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芯片去层显微拍照
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用户1439292
2009-11-25 14:01
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de-gold bump去金球
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移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损, 以利后续分析或rebonding.
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用户1439292
2009-11-25 13:55
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测试键生长(Test Pad/Probing Pad Building)
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用户1439292
2009-11-25 13:53
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纵向解剖 (Cross-section)
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工艺制程分析样片制备、SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备
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关闭
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