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第三代功率半导体器件测试解决方案 直播时间： 03月06日 10:00
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小英说半导体 2024-4-25 11:29
- 原创 通信——通过表面电荷操纵控制锗的蚀刻
- 引言 锗是下一代背面成像器的有希望的替代品，因为最近的同质外延生长已经产生了非常低的缺陷密度。锗的固有特性使其能够进行高速硬 X ...
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- 原创 蚀刻过程中的蚀刻引起的物理损伤和污染
- 引言 高选择性氧化物蚀刻是成功制造下一代半导体器件的重要过程。为了实现这一目标，高密度等离子体源通常使用高 C/F比值气体和含氢气体的组合进行研究。 ...
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- 原创 高密度集成可伸缩无机薄膜晶体管
- 引言 与有机晶体管相比，无机半导体晶体管具有优越的性能和可靠性。然而，由于其脆性，不利于制造可拉伸的电子产品。由于这一缺点，它 ...
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- 原创 玻璃在氢氟酸中的湿化学腐蚀综述
- 引言 眼镜由于其独特的特性，被广泛应用于 光学 器件、 MEMS 器件和太阳能电池中。光学透明性和承受许多光散射影响的能力可以被认为是在这方面最显著的特 ...
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- 为什么晶圆清洗在芯片设计和生产中很重要
- 半导体彻底改变了电子行业，并成为现代技术的重要组成部分。从计算机和智能手机到心脏起搏器和军事通信系统，半导体为各种设备提供动力。随着半导体技术的不断 ...
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- 湿化学分析
- 我们通过对液体和解决方案进行分析，以获取有关半导体材料、工艺和集成电路生产环境的信息，在半导体工业中被称为湿化学。有超过120个程序被用来获取具体的行业 ...
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- 什么是湿法蚀刻工艺
- 在晶圆制造中，蚀刻是指从晶圆去除材料的过程，即从硅衬底本身或从晶圆上的任何薄膜或材料层去除材料。有两种主要类型的蚀刻：干法蚀刻和湿法蚀刻。湿法蚀刻 是 ...
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- 硅晶片的清洗技术
- 引言 高质量的晶圆在晶体精度、成型质量和表面质量方面都很优越，所以增加LSIs（大规模集成电路）的集成密度需要更高质量的硅晶片，但我们必须考虑芯片尺寸 ...
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- 在含氧气体环境中利用VUV辐射的表面清洁机制
- 引言 半导体处理前的表面清洁度是在半导体工程领域中值得考虑的重要问题。化学溶剂被用于湿法化学清洗工艺中，以去除半导体表面上的有机污染物。然而，湿化 ...
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- 臭氧水的应用
- 引言 化学机械抛光（CMP）是目前制备铜互连过程中常用的技术。铜化学机械抛光具有表面平面化，减少工艺步骤和热预算等优点。然而，它会在介电材料表面上引起 ...
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- 针对纳米片环栅晶体管中制造锗化硅（SiGe）和硅（Si）选择性蚀刻的研究
- 引言 栅极全能场效应晶体管（GAAFET）是一种很有前途的候选晶体管，可以用来提高FinFET性能。制造n型晶体管一般涉及到在内隔层沉积之前的高选择性SiGe：Si蚀 ...
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- 新型臭氧发生器有效杀灭细菌
- 虽然紫外线和氯是对水进行消毒的常规方法，但臭氧在破坏微生物方面同样有效。与传统的消毒方法（如紫外线或氯气）相比，溶解在水中的臭氧有几个好处：例如，它 ...
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- 利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻
- 引言 器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术， ...
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- Si1-xGex/Si选择性蚀刻与盐酸用于薄硅通道晶体管的集成
- 引言 Si1-xGex合金与Si的选择性蚀刻在微电子领域广泛应用于形成薄硅通道晶体管。我们表明，在低温( 100）。本文我们将在Ge含量超过30%至45%的SiGe层的非 ...
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- 一种新型的锗化硅（SiGe）干式选择性各向同性原子层蚀刻技术
- 引言 纳米线(NWs)已经为气体和生物传感提供了一个好的平台， 从而研究如何使纳米线的表面功能化，由于纳米尺度尺寸与分子尺寸兼容性，导致我们需要考虑如 ...
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