EE直播间
更多
文章
首页 我的博文
小英说半导体 2023-11-22 10:27
溅射生长的铜和钨薄膜的应力调整
引言 薄膜和多层中的应力会降低性能,甚至导致技术应用中的故障,通过诸如破裂、弯曲或分层的机制。然而,在某些情况下,应力是理想的,因为它可以 ...
小英说半导体 2023-11-20 09:20
薄膜和涂层中应力产生和松弛的机理
引言 由于薄膜和涂层在微电子学、光学、生物技术、微机械、航空航天和工具工业等领域的广泛应用,薄膜和涂层的应力诱发失效现象是一个非常重要的问 ...
小英说半导体 2023-11-14 10:30
研究铜互连的规模能扩大到什么程度
随着领先的芯片制造商继续将finFET以及很快的纳米片晶体管缩小到越来越小的间距,使用铜及其衬垫和阻挡金属,较小的金属线将变得难以维持。接下来会发生 ...
小英说半导体 2023-11-10 13:30
降低半导体金属线电阻的沉积和蚀刻技术
铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配,这在较小的尺度上变得更加重要。传统上,铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化 ...
小英说半导体 2023-11-8 09:58
薄膜晶体管液晶铜膜蚀刻
引言 由于在室温下的低电阻率和低材料成本,铜(Cu)被积极地考虑作为高质量和大面积TFT-LCD的金属电极的候选。事实上,开发具有低电阻率的金属电极工 ...
小英说半导体 2023-11-3 14:01
表面清洁工艺对硅片与晶圆键合的影响
引言 随着产业和消费升级,电子设备不断向小型化、智能化方向发展,对电子设备提出了更高的要求。可靠的封装技术可以有效提高器件的使用寿 ...
小英说半导体 2023-11-1 17:23
适用于基于晶圆键合的3D集成应用的高效单晶圆清洗
引言 不同的微电子工艺需要非常干净的表面以防止颗粒污染。其中,晶圆直接键合对颗粒清洁度的要求非常严格。直接晶圆键合包括通过简单地将两种材料的 ...
小英说半导体 2023-10-27 13:48
低能量电子束曝光技术
引言 直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中,首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图,然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作 ...
小英说半导体 2023-10-26 16:03
厚金属显微结构的提升技术
引言 本文涉及一种能够在金属基底上制备厚金属微结构的方法。这种金属微结构可以用作分辨样品来表征各种微分析技术,例如X射线荧光(XRF)或X射线光电 ...
小英说半导体 2023-10-25 13:50
通过使用过硫酸铵溶液轻松预处理铜催化剂基底
引言 石墨烯是sp2杂化碳原子的二维蜂窝晶格,自首次成功分离和表征单层石墨烯以来就引起了广泛关注。载流子迁移率、稳健的机械公差和高光学透明度为 ...
小英说半导体 2023-10-24 09:46
栅栏状蚀刻铜箔上的掺氟碳量子点界面层
引言 由于其卓越的能量密度和长寿命,锂离子电池(LIBs)广泛用于电动设备,如军用无人机、电动车辆和动力辅助服,这些设备需要高重量或体积能量密度 ...
小英说半导体 2023-10-23 09:52
六氟化硫等离子体的热反应离子蚀刻
引言 众所周知,微机电系统(MEMS)严重依赖于集成电路制造中使用的材料,例如单晶硅。然而,由于金属、玻璃和压电陶瓷的特殊性质,这些材料在MEMS中 ...
小英说半导体 2023-10-17 13:08
氢微波等离子体中氧氮化钛薄膜的稳定性及蚀刻
引言 氮化钛(TiN)具有许多优异的机械和物理性能,如高熔点、高硬度和化学稳定性、良好的导电性和导 热性、高耐腐蚀性和抗氧化性。因此,TiN已被广 ...
小英说半导体 2023-10-16 14:34
单片微波集成电路中砷化镓的干蚀刻
引言 目前 高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs) 已 广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔,这些MMICs的性 ...
小英说半导体 2023-10-12 14:56
在氮化镓和AlGaN上的湿式数字蚀刻
引言 由于其独特的材料特性,III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH 3 处理的取向相关蚀 ...
关闭 站长推荐上一条 /3 下一条