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小英说半导体 2023-12-26 16:15
- 复合垂直纳米线中硅锗的选择性湿法蚀刻
- 引言 目前，对高效能和高性能微电子组件的持续需求是晶体管小型化和芯片密度增加的关键驱动因素。这些纳米级晶体管的性能取决于其架构和材料特性。由于更好 ...
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- 各向同性锗化硅（SiGe）等离子体蚀刻过程中环向硅形成机理
- 引言 在逻辑电路中， 为了 克服短沟道效应 ， 场效应晶体管(FET)从平面 FET 变为FinFET 。 以对于FinFETs的缩放，增加鳍高度以增加沟道宽度 ...
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- 锗、硅、SiNx薄膜的各向同性等离子体蚀刻
- 引言 CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。 这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料 ...
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- 硅锗纳米线的湿式蚀刻法
- 引言 纳米结构与块状材料相比，纳米结构具有不同的性质，因为量子效应在纳米尺度上是显著的，量子限制会导致电荷载流子具有离散的能级。英思特研究 ...
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- 铝等离子体蚀刻率的限制
- 引言 随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。 ...
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- 滤芯的测试原理
- 滤芯采用聚四氟乙烯拉伸膜、PFA骨架制造，具有高通量、高流速、长寿命，以及优良的化学相容性和耐氧化性能等特点。这种滤芯广泛应用于化学品过滤中各种酸、碱、 ...
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- Cl2中GaN蚀刻过程中载体晶圆的影响
- 引言 由于氮化镓(GaN)半导体可以 维持高电压和高电流，其经常作为高功率微电子器件的选择材料。 在本文中， 英思特研究 了暴露于Cl 2 等 ...
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- 在湿台工艺中使用RCA清洗技术
- 半导体制造业依赖复杂而精确的工艺来制造我们需要的电子元件。其中一个过程是晶圆清洗，这个是去除硅晶圆表面不需要的颗粒或残留物的过程，否则可能会损害产 ...
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- 半导体湿法清洗工艺
- 随着技术的不断变化和器件尺寸的不断缩小，清洁过程变得越来越复杂。每次清洗不仅要对晶圆进行 清洗 ，所使用的机器和设备也必须进行清洗。晶圆污染物 ...
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- 利用Cl2/N2等离子体对III-N层的耦合等离子体蚀刻
- 引言 GaN在化学上是非常稳定的，并且在室温下不溶于大多数常见的的蚀刻剂。GaN的湿法化学蚀刻显示出各向同性的蚀刻轮廓和比干法蚀刻技术更慢的蚀刻 ...
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- 适用于SiC和GaN-on-Si 功率器件的等离子蚀刻工艺
- 功率半导体器件，构成电力电子系统的核心，控制电流 ， 硅基功率器件因其低成本和良好的电气性能而一直是主要选择。然而，电动汽车、高铁和快速充电等 ...
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- 基于Cl2/BCl3电感偶联等离子体的氮化镓干蚀特性
- 引言 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV， 目前 已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用 ...
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- AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻
- AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻 引言 宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁 ...
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- 关于氮化镓的干蚀刻综述
- 引言 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精 ...
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- 大压缩作用下软基底薄膜周期性分层现象的研究
- 引言 通过实验、理论模型和有限元模拟的结合，英思特通过将一个薄膜粘接到一个预应变超过400%的软弹性衬底上，探索了微观和宏观尺度上控制周期性屈 ...
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