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小英说半导体 2023-10-10 16:57
- 关于铝镓氮（AlGaN）上p-GaN的高选择性、低损伤蚀刻
- 引言 GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气（2DEG）是由AlGaN/GaN异质 ...
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- 氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻法
- 引言 目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧 ...
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- 溅射沉积镍薄膜的微观结构和应力演化
- 引言 众所周知，材料的宏观性质，例如硬度、热和电传输以及光学描述符与其微观结构特征相关联。通过改变加工参数，可以改变微结构，从而能够控制这 ...
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- 悬浮波导SiO2薄膜的应力和折射率控制
- 引言 悬浮二氧化硅结构对于许多光学和光子集成电路(PIC)应用是重要的，例如宽光谱频率梳，低传播损耗波导，以及紫外-可见光滤光器等。除了这些应用 ...
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- 将铜互连扩展到2nm的研究
- 晶体管尺寸在3nm时达到临界点，纳米片FET可能会取代finFET来满足性能、功耗、面积和成本目标。同样，正在评估2nm铜互连的重大架构变化，此举将重新配置向晶体 ...
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- 电力输送、材料和互连领域即将发生巨大变化
- 在设备互连方面，铜无可匹敌。其低电阻率和高可靠性为业界提供了出色的片上互连和芯片间连线服务。但在逻辑芯片中，随着互连堆栈上升到14级范围，并且阻 ...
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- 等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性
- 等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性 引言 近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。 ...
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- 一种用醋酸刻蚀氧化铜的新方法
- 引言 由于乙酸不会氧化铜表面，因此乙酸常用于去除氧化铜而不侵蚀铜膜。乙酸还具有低表面张力，易于从表面移除。因此，不需要去离子(DI)水冲洗来移 ...
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- 通过检测金刚石线锯硅片表面颗粒负荷来评价清洗工艺的新方法
- 通过检测金刚石线锯硅片表面颗粒负荷来评价清洗工艺的新方法 引言 高效硅太阳能电池的加工在很大程度上取决于高几何质量和较低污染的硅晶片的可用性 ...
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- RCA关键清洗流程
- 硅集成电路(IC)的制造需要500-600个工艺步骤，具体取决于器件的具体类型。在将整个晶圆切割成单独的芯片之前，大部分步骤都是作为单元过程进行的。大约30%的步 ...
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- 金属纳米颗粒通过水基剥离方案使用嵌段共聚物模板
- 引言 随着纳米结构表面和界面在广泛的科学和技术应用中变得越来越重要，确定可扩展和廉价的方法来实现这些变成了一个关键的挑战。特别是有序、非密 ...
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- 具有独特底部轮廓的剥离光刻胶的开发
- 引言 金属图案的剥离方法已广泛应用于各种电子器件的制造过程中，如半导体封装、MEMS和LED的制造。与传统的金属刻蚀方法不同的是，采用剥离法的优点 ...
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- 过硫酸铵溶液蚀刻回收铜上石墨烯片的合成
- 引言 石墨烯是一种原子级薄层2D碳纳米材料，具有以六方晶格结构排列的sp2键碳原子。石墨烯因其优异的物理和电子性能而受到广泛关注。 自 发现石墨 ...
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- 单片交流氮化铟镓发光芯片
- 如今， 首次单片 已 集成了高击穿肖特基势垒二极管(SBD)和氮化铟镓(InGaN)发光二极管 (LED)，以提供由交流电(AC)供电的单芯片。因此， 英思特 这款3W器件 ...
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- 用化学蚀刻法修饰超细粗粒钛的表面形貌及组成
- 引言 钛及其合金具有独特的机械性能和出色的生物相容性，这使得它能够被广泛用作骨科和牙科植入物的最合适材料。合金提供增强的材料机械性能，但是， ...
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