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小英说半导体 2023-7-20 14:29
- 无氢氟蚀刻剂中钛选择性湿蚀刻铜的研究
- 引言 众所周知，微尺度和纳米尺度的地形结构对真核细胞和原核细胞的行为都有显著的影响。例如，具有特殊尺寸的纳米线、纳米柱、纳米管已被证明具有 ...
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- 氢微波等离子体中氧氮化钛薄膜的稳定性及蚀刻
- 引言 氮化钛(TiN)具有许多优异的机械和物理性能，如高熔点、高硬度和化学稳定性、良好的导电性和导 热性、高耐腐蚀性和抗氧化性。因此，TiN已被广 ...
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- 无氢氟蚀刻剂中钛选择性湿蚀刻铜的研究
- 引言 钛和铜薄膜在微加工设备中有多种应用，如互连或硅通孔(TSV)。铜越来越多地被用作互连材料，并在高性能集成电路中取代铝。与铝相比，其电导率几乎 ...
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- 用于砷化镓衬底再利用和柔性电子器件的外延剥离工艺
- 引言 外延剥离工艺能够将 III-V器件层从砷化镓衬底上分离，并且 在 通过重复使用衬底来避免 III-V器件的高成本 方面也已被广泛研究 。传统 ...
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- 用砷化镓基材料的高可控ICP蚀刻
- 引言 当制造诸如异质结双极晶体管 (HBT)的电子器件时，可控的各向异性半导体干法蚀刻工艺是非常理想的 。 此外，在光学逻辑门阵列中，取样光栅 ...
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- 砷化镓微纳米器件的制造工艺条件
- 引言 与硅基器件相比， III-V半导体具有更高的电子迁移率和峰值速度，因此更适合光电子学以外的高性能应用。目前III-V材料的不同工艺技术仍然具有 ...
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- 无缺陷砷化镓异质蚀刻工艺
- 引言 干法刻蚀是用于制造砷化镓异质结构量子点和光电子器件自上向下工艺中的关键技术。当器件尺寸不断减小时，表面状况对量子效应器件的性能变得至关重要 ...
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- 电感耦合等离子刻蚀
- 引言 众所周知，化合物半导体中不同的原子 比 对材料的蚀刻特性有很大的影响。 为了对 蚀刻速率和表面形态的精确控制， 通过使用 低至25nm的薄 ...
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- 低腐蚀性蚀刻浴中溶解的铝如何影响酸蚀表面
- 引言 铝及其合金由于其出色的重量强度比和耐腐蚀性，在过去几十年中得到了广泛应用。然而，由于铝的两性性质，铝不能原样使用，铝表面上的自然氧化膜 ...
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- 各向同性锗化硅（SiGe）等离子体蚀刻过程中环向硅形成机理
- 引言 在逻辑电路中， 为了 克服短沟道效应 ， 场效应晶体管(FET)从平面 FET 变为FinFET 。 以对于FinFETs的缩放，增加鳍高度以增加沟道宽度。 ...
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- Si/SiGe多层堆叠的干法蚀刻
- 引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的 ...
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- 硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制
- 引言 在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于20 ...
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- 锗化硅（SiGe）和硅（Si）之间的各向同性和选择性蚀刻机制
- 引言 目前，硅的电气和热性能在微电子技术领域中应用广泛。锗化硅（SiGe）合金的使用频率越来越高，在互补金属氧化物半导体技术中，英思特通过使用SON ...
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- 通过X射线光刻在指尖大小的芯片中产生高精度微光学元件的晶圆级制造
- 引言 在过去的二十年中，市场对大量N灰度级三维微纳米元件的需求一直很活跃。 基于铅笔束的光刻技术 ，我们 可以生产 出 精确的组件，但 目前 ...
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- 针对紫外/臭氧表面处理增加了SU-8光刻胶聚合物的亲水性的研究
- 针对紫外/臭氧表面处理增加了SU-8光刻胶聚合物的亲水性的研究 引言 SU-8是一种具有低杨氏模量（沿纵向的弹性模量）以及热稳定性优良的负光敏聚合物， ...
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