IRLML0100TRPBF (VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。 应用简介:IRLML0100TRPBF适用于低电压应用的N沟道MOSFET,常见于LED驱动、电源开关和电池管理等领域模块。 其低导通电阻有助于降低电压降和提高效率。 优势与适用领域:适用于低电压场景,如LED驱动、便携式设备和电池管理等模块。 低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。