【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
时间:2023-12-27
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资料介绍
AO6604详细参数说明:
- 极性:N+P沟道
- 额定电压:±20V
- 额定电流:7A / -4.5A
- 导通电阻:20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 阈值电压:0.71Vth / -0.81Vth (V)
- 封装类型:SOT23-6
应用简介:
AO6604是一款N+P沟道MOSFET,同时包含了N沟道和P沟道的特性,在各种电源管理和功率放大器应用中具有广泛的应用范围。该器件具有较高的额定电压和额定电流,能够提供可靠且高效的电流开关功能。
通过控制20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。
AO6604采用SOT23-6封装,封装小巧,适合在空间有限的应用场景中使用。
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器、LED照明电路以及各种需要同时使用N沟道和P沟道MOSFET的场合。在这些领域中,AO6604能够提供可靠的功率开关控制和多通道电流传输,实现高效能的电流开关和正负电压的控制。
总之,AO6604是一款N+P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中,特别适用于需要同时控制正负电压的场合,如电源开关、电机驱动器和LED照明电路等领域。
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