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【SI2319DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-20
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资料介绍
SI2319DS-T1-GE3详细参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 阈值电压:-1Vth (V)
- 封装类型:SOT23


应用简介:
SI2319DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。

通过控制20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。

SI2319DS-T1-GE3采用SOT23封装,适用于各种电路板和模块中使用。

该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性,SI2319DS-T1-GE3特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。

总之,SI2319DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET,适用于电源管理和功率放大器等应用模块中。特别适用于需要控制和开关负电压的领域,如电源开关、电机驱动器等领域。
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