型号: ZVN2120GTA
丝印: VBJ1201K
品牌: VBsemi

参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 200V
- 额定电流(ID): 1A
- 开通电阻(RDS(ON)): 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): 2~4V
- 封装类型: SOT223

应用简介:
这款ZVN2120GTA MOSFET是一款高压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力，适用于中功率开关和功率转换的应用。

这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：特别适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等中功率电源模块。
- 工业自动化模块：用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。
- 照明模块：适用于某些需要高压和中功率的照明驱动电路和控制模块。
- 电动车电池管理模块：在电动车充电、放电保护和电池管理等方面发挥作用。

总之，ZVN2120GTA MOSFET适用于需要高压N沟道MOSFET进行中功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能。