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【STD10NF10T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-21
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阅读数:27
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资料介绍
型号:STD10NF10T4
丝印:VBE1101M
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:N沟道MOSFET
- 最大耐压:100V
- 最大电流:18A
- 导通电阻:115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:1.6Vth
- 封装:TO252


应用简介:
STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET,适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为100V,最大电流为18A,具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于高压电源开关和DC-DC变换器等。
2. 电机驱动模块:可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。
3. 高压负载开关模块:适用于高压负载开关和电源控制器。

总之,STD10NF10T4适用于高电压和大电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和高压负载开关模块等。
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