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【IPD30N06S2L-13-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-24
大小:238.76KB
阅读数:55
上传用户:VBsemi
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资料介绍
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下:

- 电压:60V
- 电流:45A
- 开启电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 阈值电压:1.8V
- 封装形式:TO252

该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的特点,适用于以下领域模块:

1. 电源模块:该晶体管可作为电源开关,用于控制高频变换器的输入和输出。
2. 电机驱动模块:适用于直流电机和步进电机驱动电路,提供可靠的开关动作。
3. 照明模块:可用于LED灯驱动电路中,实现高效能的开关控制。
4. 电池管理模块:可用于电池保护电路中,提供过流和过压保护。
5. 车辆电子模块:在汽车电子领域,可用于电动车辆控制电路,提供高效的能量转换。

总之,IPD30N06S2L-13-VB晶体管适用于多个领域的模块,包括电源、电机驱动、照明、电池管理和车辆电子等领域。

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