丝印：VBJ1638
品牌：VBsemi
参数：
- 类型：N沟道
- 额定电压（Vds）：60V
- 最大持续电流（Id）：7A
- 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 10V, 27mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）
- 阈值电压范围（Vth）：1-3V
- 封装：SOT223
应用简介：
ZXMN6A25GTA-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和适度的电流承受能力。它适用于多种低功耗电子应用，需要高效能耗、低导通电阻和低门源电压操作。
详细参数说明：
1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。
2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为60V。这表示在正常工作条件下，其电压应不超过60V。
3. **最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为7A。虽然不是非常高，但在低功耗应用中仍然足够。
4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为24mΩ，而在4.5V下为27mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。
5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至少20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压范围（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压范围为1-3V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。
7. **封装**：这款MOSFET采用SOT223封装，这是一种小型封装，适用于小型电路板和空间受限的应用。
应用领域：
ZXMN6A25GTA-VB这款MOSFET适用于多种低功耗电子应用，包括但不限于以下领域：
1. **移动设备**：可用于手机、平板电脑和便携式电子设备的电源管理和电池保护电路。
2. **电源开关**：可用于开关模式电源供应器，用于电压转换和稳定。
3. **LED驱动**：用于LED照明系统的电流控制和调光控制。
4. **低功耗电子**：可用于嵌入式系统、微控制器和传感器接口，以降低功耗并提高效率。
5. **电池充放电**：用于电池充电和放电管理电路，以确保安全和高效的电池使用。
总之，这款MOSFET适用于需要高效能耗、低导通电阻和低门源电压操作的低功耗电子模块和设备。
