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【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-24
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阅读数:52
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资料介绍
型号:2SK2782-VB
丝印:VBE1638
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:N沟道
- 最大耐压:60V
- 最大电流:45A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):20V (±V)
- 阈值电压 (Vth):1.8V
- 封装类型:TO252

应用简介:
2SK2782-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高电压和高电流承受能力的各种电子应用。以下是一些可能的应用领域:

1. 电源模块:这款MOSFET适用于高功率电源模块中的功率开关,可用于工业电源、电动工具和电动车辆充电器等应用中,以提高电源效率。

2. 电机驱动:2SK2782-VB可用于电机驱动电路,如直流电机控制器、电动汽车电机控制等,以实现高效的电机运行。

3. 高电流应用:由于其高电流承受能力,它也适用于需要大电流开关的应用,如电焊设备和高功率电炉。

4. 电池管理:可用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。

5. 模拟电路:具有低静态阈值电压的特性,适用于需要精确控制的模拟电路中,如放大器、滤波器和开关电源。

2SK2782-VB的高电压和电流能力,以及低导通电阻,使其成为各种高性能电子应用的理想选择。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。

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