丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 最大连续电流：18A
- 静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 门源极电压（Vgs）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.6V
- 封装类型：TO252
应用简介：
CEU12N10-VB 是一款N沟道功率MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：
1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现高效电源的开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电源应用。
2. **电机控制模块**：CEU12N10-VB 可用于电机控制模块，包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。其低导通电阻有助于提高电机效率和性能。
3. **电池保护模块**：在高电压电池供电系统中，此MOSFET可用于电池保护电路，以防止过放电和过充电。其高电流和电压特性使其适用于高电压电池系统。
4. **DC-DC变换器**：在高功率DC-DC变换器中，CEU12N10-VB 可用作开关器件，以帮助实现高电流和高效的电能转换。
5. **电源放大模块**：该MOSFET可以用于音频放大器和电源放大器等高电流高电压模块，以提供高性能的电力放大。
这些是一些可能用到 CEU12N10-VB N沟道高电压高电流MOSFET 的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要处理高电压和高电流的应用，特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。
