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【STD10PF06T4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:STD10PF06T4-VB
丝印:VBE2610N
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 最大连续电流:-38A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V
- 门源极电压(Vgs):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):-1.3V
- 封装类型:TO252

应用简介:
STD10PF06T4-VB 是一款P沟道功率MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电源应用。

2. **电机控制模块**:STD10PF06T4-VB 可用于电机控制模块,包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。其低导通电阻有助于提高电机效率和性能。

3. **电池保护模块**:在需要负载开关和电池保护的应用中,此MOSFET可用于电池管理系统,以防止过放电和过充电。

4. **逆变器和功率放大器**:STD10PF06T4-VB 可用于逆变器和功率放大器等高电流高电压模块,以实现信号放大和功率放大。

5. **电源逆变器**:在太阳能逆变器和电源逆变器中,这种MOSFET可用于将直流电源转换为交流电源。

这些是一些可能用到 STD10PF06T4-VB P沟道高电压高电流MOSFET 的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要处理高电压和高电流的应用,特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。
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