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【AP2321GN-HF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:AP2321GN-HF-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 导通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth):-1V
- 封装:SOT23

应用简介:
AP2321GN-HF-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子设备和电路中,特别适用于需要负载开关和功率管理的应用。

**应用领域和模块说明:**

1. **电源开关模块**:
   - 由于其P沟道MOSFET的特性,AP2321GN-HF-VB适用于电源开关模块,可用于负载开关和电源管理。
   - 在便携式电子设备、电池管理系统、充电器和适配器中用于实现高效的电能转换和管理。

2. **电池保护模块**:
   - 该MOSFET可用于电池保护模块,用于控制和保护锂电池等电池的充电和放电。
   - 在便携式电子设备、电池组装设备、电动工具中用于保护电池免受过充和过放的损害。

3. **功率管理模块**:
   - AP2321GN-HF-VB可用于功率管理模块,实现电路的功率控制和管理。
   - 在各种电子设备中用于优化功率分配和降低待机功耗。

4. **负载开关模块**:
   - 由于其低导通电阻和高电流承受能力,该MOSFET可用于负载开关模块。
   - 在LED照明、电机控制、工业自动化等领域中用于高效的负载开关控制。

总结,AP2321GN-HF-VB是一款P沟道MOSFET,具有广泛的应用领域,包括电源开关、电池保护、功率管理和负载开关等多个领域的模块。其特性使其成为各种电子设备和系统中的关键组成部分,有助于提高效率、可靠性和功率管理能力。
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