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【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:AO4616
丝印:VBA5325
品牌:VBsemi
参数:N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V);SOP8

该产品具有以下详细参数说明:
- 类型:N+P沟道功率场效应管
- 最大耐压:±30V
- 最大漏极电流:9A(N沟道),-6A(P沟道)
- 导通时的电阻(RDS(ON)):15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道)
- 栅极电压(Vgs)范围:±20V
- 阈值电压(Vth)范围:±1.65V
- 封装:SOP8

该产品适用于以下领域模块:
- 电源开关:AO4616可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。
- 电机控制:适用于各种电机控制模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。
- 电池管理:可用于电池管理模块中,实现电池的充放电控制和保护功能。
- 汽车电子:适用于汽车电子模块中的电路控制和驱动。

综上所述,AO4616适用于电源开关、电机控制、电池管理和汽车电子等领域模块。
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