**型号：** SI4413DY-T1-E3-VB
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-11A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth)：-1.42V
- 标准门源电压 (±V)：20V
- 封装：SOP8
**产品应用简介：**
SI4413DY-T1-E3-VB 是一款 P 沟道 MOSFET，具有较高的额定电流承受能力和极低的漏极-源极电阻，适合用于多种电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 的性能参数使其适用于多种领域。
**产品应用领域：**
1. **电源开关：** 该型号的 MOSFET 可用于电源开关应用，以切换电路中的电源连接，如电源管理单元和电源开关。
2. **电池保护：** 可用于电池保护电路，以控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。
3. **电源管理模块：** 在电源管理模块中，SI4413DY-T1-E3-VB 可用于功率控制和电流调节，以提高效率并确保电路的稳定性。
4. **电机驱动：** 适用于电机驱动电路，例如小型直流电机和电机控制应用。
5. **逆变器和电源逆变器：** 在逆变器电路中，用于将直流电源转换为交流电源，通常用于太阳能逆变器和电源逆变器。
总之，SI4413DY-T1-E3-VB MOSFET 在多个领域中都有广泛的应用，用于功率控制、电流开关和电源连接等用途。由于其性能参数，它在电子模块和设备中起到关键作用。
