丝印：VBE1101N
品牌：VBsemi
参数说明：
- N沟道
- 额定电压：100V
- 最大电流：70A
- RDS(ON)：9mΩ @ 10V, 20mΩ @ 4.5V
- 门源电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：3.2V
- 封装：TO252
应用简介：
IRFR4510TRPBF-VB是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高电流和高电压的应用。其低通态电阻和高电流承受能力使其在高功率电子设备中非常有用。
应用领域：
1. **电源管理模块**：IRFR4510TRPBF-VB可用于高功率电源管理模块，以实现电源开关和电池保护，特别适用于高功率要求的电源管理。
2. **电机控制**：在电机控制应用中，如大型电机、电动汽车和工业应用，它可用于电机驱动电路，提供高电流和电压控制。
3. **电源开关**：可用于高功率电源开关模块，提供高效率的电源管理。
4. **电源逆变器**：在太阳能逆变器和高功率电力系统中，它可用于电能逆变电路，将直流电转换为交流电。
总之，IRFR4510TRPBF-VB适用于高功率应用，包括电源管理、电机控制、电源开关和电源逆变器等领域。
