集成无源器件（IPD）和穿硅通孔（TSV）技术是目前封装发展的一大趋势。为了实现高性能集成无源器件和硅转接板集成的目的，本文采取了设计两套不同的集成方案，对比研究的方法。方案结合了深槽电容，液态金属填充等先进技术，从集成方式、通孔制作、通孔填充、IPD类型等多方面进行对比，全面的研究IPD和TSV的集成方案。
