基于电子设备对电源管理芯片的需求，本文设计了一种输出电压2.8 V，最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器（low-dropout regulator，LDO）。该LDO采用调整管栅极驱动技术，改善了负载瞬态响应，同时利用片外电容的等效串联电阻（Equivalent Series Resistance，ESR）补偿系统频率，保证了LDO的稳定性。在国产0.13 μm Silicon-On-Insulation CMOS工艺上，实现了电路原理图和版图的设计，芯片面积（不包含PAD）为0.009 mm2。该LDO电路使用Cadence、Spectre等工具进行了仿真验证，仿真结果表明：输出电压为2.8 V，输出过冲小于8 mV，最大负载响应时间为2.1 μs，相位裕度大于77°，低频时电源电压抑制比PSRR为-90 dB，负载调整率为53 μV/mA，线性调整率为3.37 mV/V。