随着通信、对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加，对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽，而基于第三代半导体材料的GaN HEMT具备宽工作频带的特性，有满足新需求的潜力。运用传输线变压器（Transmission Line Transformer，TLT）加载铁氧体磁芯的技术对GaN HEMT进行宽带匹配，研制了工作于20~1 000 MHz的功率放大器。通过建立和优化TLT模型，拓展频率低端，最终测试结果表明，在整个带宽内，输出功率≥107 W，增益≥11.3 dB，功率附加效率≥34.5%，成功将此功率量级的宽带功率放大器工作倍频层由3拓展到5以上。此功率放大器适用于同时要求宽带宽和高功率的系统中，如EMC测试、电子对抗和宽带通讯等。