MOSFET的选型,资料中的MOSFET选型资料来自南方芯源，数学推导挺多的，大家耐心看，SAMWIN Semiconductors SW 04-3-01 V1.01 一、 设计选择 MOSFET 的应用选择须综合各方面的限制及要求。下面主要从应用的安全可靠性方面 阐述选型的基本原则。 建议初选之基本步骤： 下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。 1 ）电压应力： 在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即： 第 1 页 -共 6 页 SAMWIN Semiconductors SW 04-3-01 V1.01 VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS 注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作 为参考。 2） 漏极电流： 其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流 不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极 脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D I D_pulse ≤ 90% * IDP 注：一般地， ID_max 及 I D_pulse 具有负温度系数，故应取器件在最大结温条件下之 ID_max 及 I D_pulse 值作为参考。器件此参数的选择……