无 应用笔记，版本2.0，2010年5月 通过简单设计优化同步整流直流- 直流转换器的同步整流效率和过电压尖峰的简单设计方法 [pic] 1. 摘要 日益提高的封装密度和越来越严格的能效标准（80PLUS® [1]），要求逐渐将开关电源（SMPS）的能效提高至90%以上。隔离式电源转换器的次级 二极管整流产生的二极管正向损耗是主要损耗之一。因此，只有利用先进的功率只有利 用最新技术的MOSFET来作为执行同步整流（SR），才可能实现更很高的能效。但是这种 方法在低可以在更高开关损耗造成的轻输出负载时由于较高的开关损耗会造成的低效率 ，而在效率提高的同时会引起与提高效率但高压过冲超出同步整流MOSFET（以下简称SR MOSFET）的最高额定电压，因此这需要之间作出折衷。本文提出了可用于优化系统的总 体能效和降低过冲电压的易于实现的设计方法，以便加快SMPS设计过程。 2. 引言 开关电源通常借助功率二极管来实现次级端的整流级。但是，功率二极管在可流过产生 较高输出电流同时，也并且会产生0.5 V甚至更高的正向压降，因而会造成严重的导通传导损耗。可以利用导通电阻仅为几毫欧 姆的先进功率可以利用导通电阻仅为几毫欧姆的新技术的MOSFET来降低这些损耗。采用 先进的功率MOSFET能够提高系统的总体能效，特别是在电流较高的情况下。通过仔细比 较这两种不同的整流方法，我们发现，由MOSFET来替代功率二极管，可能造成诸如轻输 出负载时的低效率或关断时的高过冲电压等问题。这是因为MOSFET的结开关电容通常比 二极管的高[4]。为了克服这个缺点，必须对如何最优RDS(on)进行详尽的分析。另一个 重要问题是，SR SR MOSFET的栅极时间控制定时。这个参数对电源转换器的能效和过电压尖峰有显著影响。 ……