1. 了解PN结的形成原理，掌握PN结、二极管的特性（单向导电、电流方程、特性曲线、温度特性、电容特性、击穿特性等）以及直流电阻与交流电阻的概念，稳压管的稳压原理。 2. 掌握BJT的结构、工作原理、各极电流关系、四种工作状态、三种组态、CE接法的特性曲线及主要参数。特别注意基区宽度调制效应及温度特性；会判断BJT工作在哪个区。 3. 掌握MOS管的结构、特点、工作原理、特性曲线。注意： （1）N沟道、P沟道，增强型、耗尽型MOS管的特性曲线不同，偏压极性也不同(习题1.5.1 )。 （2）沟道长度调制效应和衬底调制效应的影响。 （3）饱和区电流表达式。 4. 了解JFET的结构、工作原理、特性曲线。 注意JFET是耗尽型器件，但栅压为单极性。 5. 了解集成元器件的主要特点。 6. 了解模型的基本概念及BJT的EM1、EM2 模型的形式、电流方程。 *************************************(2)*********************************** 3. PN结的伏安特性 （1）理想PN结方程 iD = IS ([pic]－ 1) （2）伏安特性曲线 正向特性： ( iD ( IS [pic]（(D (( VT） ( 阈值电压Vth 反向特性: ( ((D(((VT时，iD (－IS（饱和特性, 为什么？） ( 反向击穿现象 1.2.3 PN结的反向击穿特性 ( 反向击穿现象 ( 反向击穿电压V(BR) ( 击穿的危害 ( 击穿机理 雪崩击穿 齐纳击穿 自学 P25～P26, 要求掌握 ：击穿的原因；特点 1.2.4 PN结的温度特性 1. 正向特性 (T ((曲线左移(为什么？) (△(D /△T(－（2(2.5）mv/℃ 2. 反向特性 ( T ( (曲线下移（ IS(） 3. 击穿特性 ( 雪崩击穿: T( ( V(BR) ( （为什么？） ( 齐纳击穿: T( ( V(BR)( （为什么？） 1.2.5 PN结电容 1. 势垒电容CT (定义：CT = －dQ / d(D (势垒电容CT 的非线性 2. 扩散电容 CD (正向偏压下的少子存储效应 (电容效应△(D (△Q (定义：CD = dQ / d(D (扩散电容CD 的非线性 3. PN结电容CJ ……