DDR相关参数测试 DDR 测试系列之四 ――漫话 DDR3 张鹏 Ethan.Zhang@LeCroy.com 美国力科公司西安联络处 DDR3 简介 DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用 在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3 在 DDR2 的基础上继承发展 而来，其数据传输速度为 DDR2 的两倍。同时，DDR3 标准可以使单颗内存芯片的容量更 为扩大，达到 512Mb 至 8Gb，从而使采用 DDR3 芯片的内存条容量扩大到最高 16GB。此 外，DDR3 的工作电压降低为 1.5V，比采用 1.8V 的 DDR2 省电 30%左右。说到底，这些 指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm 甚至更先进的 45nm 制造工艺使得同样功能的 MOS 管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提 升。 DDR3 的发展实在不能说是顺利，虽然在 2005 年就已经有最初的标准发布并于 2007 年应用于 Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代 DDR2，这 中间还经历了对 SDRAM 业界影响深远的金融危机，不但使 DDR3 占领市场的速度更加减 慢，还使 DDR3 在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人……