可控硅dIT/dt测试线路的设计与测量(2012-100例)
时间：2020-01-01
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资料介绍
该测试线路是在传统的相位控制电路的基础上增加了两个配置，利用该线路当可控硅的控制端触发导通时可产生一个高的上升和下降斜率的电流波通过可控硅的T1和T2，从而可以测量电流的变化率，当可控硅的电特性(静态参数)发生变化时说明该器件已经受损，此前测量的dIT/dt值即为该可控硅能承受的最大导通电流变化率。……
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