LTCC基板制造工艺研究　　 应用技术　　　　 L TCC 基板制造工艺研究 董 兆 文 ( 电子工业部第 43 研究所　合肥　230031) 摘要: 低温共烧多层陶瓷 (L TCC ) 基板是制造复杂微电子产品多芯片组件 (M CM ) 的重要部件。详细地讨论了 L TCC 基 板制造工艺, 介绍了多年研究之经验及国外的有关技术, 还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。 采用目前工艺, 可做出 20 层布线、 线宽及间距均为 0120 mm 、 80 mm ×80 mm 的多层共烧基板。 关键词: 低温共烧　基板　工艺 分类号: TM 281　TN 451　TN 452 1　引言 80 年代初, 国外开始低温共烧多层陶瓷 (L TCC ) 基板的 生产线, 产品用于高复杂程度的 M CM 。 具有批量生产 L TCC 基板能力的公司还有 N EC、 I 。 BM 、 SOR EP 等公司〔1〕 80 年代末, 我们开展了 L TCC 基板材料的研究工作。研制 研究, 很多公司已能供应各种生瓷带 (GR EEN TA PE ) , 如杜 邦 951A T、 FERROA 6、 ESL 101- CT 等。 90 年代, 很多公司 在 L TCC 基板工艺和应用方面做了大量的研究工作, 而且达到 批量生产水平。 休斯公司微电子部组建了一条 L TCC 基板自动 的生瓷带材料的主要性能指标与国外同类产品的相接近, 但基 板 制造工艺水平与国外的相比还有一定差距。 图 1 所示系 L TCC 基板的制造工艺流程。 图 1　低温共烧多层陶瓷基板工艺流程 2　讨论 211　流延 (011 ～ 012 mm ) 、 有一定强度, 能保证生膜片的宽度不小于 110 mm 且具有足够强度。流延工艺的关键是机械设备、材料配方 及对参数的控制。 由于目前国内流延设备大都是与……